Charakterisierung von Leistungshalbleitern mit großem Bandabstand

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Power Device Analyzer / Curve Tracer
+ Leistungsbauelementanalysator / Kennlinienschreiber
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Breitbandige Bauelemente präzise messen

Leistungshalbleiter mit großem Bandabstand erfordern präzise Strom-Spannungs-Kennlinien (IV), Kapazitäts-Spannungs-Kennlinien (CV), Gate-Ladungen und Durchbruchspannungen über einen weiten Betriebsbereich. Zuverlässige Ergebnisse setzen stabile Testbedingungen, eine korrekte Gerätekalibrierung, geringe Oszillationen und gut geplante Messabläufe voraus. Diese Faktoren sind besonders wichtig für Siliziumkarbid- (SiC) und Galliumnitrid- (GaN) Bauelemente aufgrund ihrer hohen Schaltgeschwindigkeiten und Durchbruchspannungen.

Der Messprozess kombiniert geeignete Umgebungsbedingungen, Selbsttest und Selbstkalibrierung des Instruments, optimierte Impulszeiten und kontrollierte Messmodi, um Wiederholbarkeit und Zuverlässigkeit zu verbessern. Korrekte Stromkonformität, gepulste Messtechniken und optimierte Testsequenzen tragen dazu bei, Schwingungen zu reduzieren, Hardware-Schutzereignisse zu verhindern und konsistente elektrische Charakterisierungsergebnisse für moderne Leistungshalbleiterbauelemente zu erzielen.

Charakterisierungslösung für Leistungsbauelemente mit großem Bandabstand

Für die präzise Charakterisierung von Leistungshalbleitern mit großem Bandabstand ist ein Messgerät erforderlich, das mehrere elektrische Parameter gleichzeitig erfassen und dabei während der gesamten Testsequenz stabile Betriebsbedingungen gewährleisten kann. Der Keysight Power Device Analyzer/Curve Tracer integriert IV-, CV- und Gate-Ladungs-Charakterisierung in einer einzigen Plattform und bietet Messmodi speziell für Hochspannungs- und Hochstrom-Halbleiterbauelemente. Die Software Easy Test Navigator und EasyEXPERT group+ vereinfachen die Messkonfiguration, den Selbsttest und die Selbstkalibrierung des Geräts sowie die automatisierte Datenerfassung. Integrierte Messsteuerungen, konfigurierbare Impulszeiten, wählbare Messmodi und Schutzfunktionen tragen dazu bei, Oszillationen zu reduzieren, die Messwiederholbarkeit zu verbessern und sowohl das Prüfobjekt als auch das Messsystem bei anspruchsvollen Leistungshalbleiter-Charakterisierungen zu schützen.
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Siehe Blockdiagramm der Charakterisierungslösung für Wide-Bandgap-Leistungsbauelemente

Blockdiagramm der Charakterisierungslösung für Leistungsbauelemente mit großem Bandabstand

Entdecken Sie Produkte in unserer Lösung zur Charakterisierung von Leistungsbauelementen mit großem Bandabstand

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