W8540EP IC-CAP 高頻率 BJT 模型

W8540EP IC-CAP 高頻 BJT 模型授權，提供下列具有高頻率延伸功能，基於 Gummel-Poon 的 BJT 模型。

• Gummel-Poon BJT 模型－ 此半經驗（semi-empirical）模型已成為 BJT 元件的業界標準。IC-CAP 利用直流、電容與電壓（CV），以及 S 參數量測的組合，來萃取 Gummel-Poon 參數
• Keysight EEsof EDA 高頻率 Gummel-Poon BJT 模型－此模型包括用於三端 NPN BJT 元件的射頻萃取例行程序。以 S 參數量測取代定電壓量測，讓您更方便而準確地進行接面電容萃取。另外還包括經過改良的理想因子、基極電阻和反轉早期電壓萃取方法
• Keysight EEsof EDA EEBJT2 BJT 模型－此模型以 Gummel-Poon 模型為基並加以改進，以提高交流和直流參數的準確度。針對三端高頻封裝元件，它的巨集功能可實現高度自動化萃取

另外還包括 MEXTRAM 503/504 BJT 模型的萃取。MEXTRAM 是公用域和業界標準的 BJT 模型，Philips Research Labs、TU Delft 和 Keysight EEsof EDA 已共同使用 IC-CAP 對其進行模型萃取。它在 Philips 內部被廣泛使用，證實具有出色的穩定度與準確性。MEXTRAM 考慮到與現代 BJT 技術相關的眾多物理現象，包括早期的電壓偏壓相依、不活動區域的外顯建模、電流擁擠，以及用於基極電阻和準飽和的傳導性調變。

MEXTRAM 具有尖端的建模功能，包括崩瀉多重性、外延收集層電阻，以及先進高頻電晶體的電荷儲存。MEXTRAM 版本 5O3 和 504 的 IC-CAP 部署，具有最高效率、最準確的萃取例行程序和自動化功能。