W8530EP IC-CAP 高頻 FET 模型

W8530EP IC-CAP 場效電晶體（FET）模型為高功率 FET 和 HEMT 元件提供以下的 MESFET 模型：

Curtice、Statz MESFET

這些模型包括適用於三種業界常見標準 MESFET 模型的萃取例行程序：

• Curtice 二次式
• Curtice 立方式
• Statz（Raytheon）

這三種模型的差異在於可描述元件之 DC 和 AC 特性的實證關係。IC-CAP 可以從 DC 和 S 參數組合量測中，萃取出模型參數。

Keysight EEsof EDA EEFET3 / EEHEMT1

這些是適用於通用 GaAs FET 應用的實證型非線性模型：

• 大信號
• 3 端 IC
• 封裝元件

它們可準確地建立 DC 和偏壓相依 S 參數、時間延遲、次臨界電流以及 Rds 色散的模型，同時還包括以 Keysight EEsof EDA 原始方程式模型以及先進 Cgs 和 Cgd 模型建構的汲極電流模型，包含跨電容效應。它還加入了汲極電流中的靜態自熱效應。該模組還提供高度自動化的參數萃取技術，可自動萃取封裝寄生效應。HEMT 類似 MESFET，但其 gm 和 Vgs 特性有極大的差異。EEHEMT1 具有 EEHEMT3 的所有功能，並提供一組針對 HEMT gm 壓縮建模設計的分析功能。