フリップチップ型トランモン共振器の設計方法

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フリップチップ共振器ジオメトリのモデリング

この設計では、超伝導トランスモンとコプレーナ導波路（CPW）共振器を含む3次元フリップチップジオメトリが必要であり、共振器は対向するシリコン層または金属層のいずれかに対して配置されます。多層ジオメトリを構築し、超伝導材料と励振ポートを定義し、電磁界解析で構造を解いて共振応答と界分布を取得します。比較では、周囲の層の向きを変更しながら、共振器の設計を一定に保つ必要があります。

周波数ドメイン電磁界シミュレーションを使用して2つの構成を比較し、3次元環境によって生成される共振挙動の変化を検査します。ワークフローはシミュレーションベースであるため、この設計段階の解析には物理的な測定器は必要ありません。得られた電磁界データを回路表現と並行して評価し、作製前のモデリングされたトランスモン共振器構造を評価できます。

フリップチップ共振器の設計ソリューション

完全なフリップチップスタックをモデル化し、作製前にCPW共振器構成を比較します。QuantumProは、Advanced Design Systemのワークフロー内で、回路、レイアウト、電磁界（EM）シミュレーション、量子解析を統合します。この環境では、有限要素法（FEM）およびMomentumソルバを使用したQuantumPro 3DEMシミュレーションが提供され、設計者は3次元超伝導構造を解析し、共振挙動を検証できます。自動量子パラメータ抽出を周波数ドメインおよび固有モードの結果に適用でき、EM-回路の共シミュレーションにより、モデリングされた回路の評価がサポートされます。このワークフローは、周囲のフリップチップジオメトリが超伝導量子ビットおよび共振器の設計にどのように影響するかを調査するための共通環境を提供します。
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