Como testar módulos de potência de semicondutores de grande abertura de banda
Caracterização de módulos de potência semicondutores WBG usando tecnologia de sonda com isolamento de pulso real
O teste de um módulo de potência em um sistema de teste de pulso duplo (DPT) requer a medição de sinais do lado baixo e do lado alto. Os módulos de potência de carbeto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN) de amplo intervalo de banda (WBG) têm maior densidade de potência do que os dispositivos de potência discretos, incorporando vários chips de transistor de efeito de campo (FET) para aumentar a corrente. O carregamento de alta velocidade exige o uso de semicondutores de alta corrente e alta tensão que operam com até 400 A, como SiC e GaN. A configuração exclusiva do módulo de potência de meia ponte desses semicondutores exige a medição independente do potencial de tensão na junção entre a fonte do dispositivo do lado alto e o dreno do dispositivo do lado baixo, que muda dinamicamente com grandes oscilações de tensão à medida que a meia ponte muda. Isso torna a medição do FET do lado alto desafiadora, especialmente para pequenas tensões de porta.
A técnica DPT é o padrão do setor para determinar os parâmetros de desempenho de semicondutores de potência. Os engenheiros de teste precisam de um testador de pulso duplo que use a tecnologia de sonda isolada por pulso para obter uma tensão de porta precisa. O sistema se baseia na compensação de RF de alta largura de banda para fornecer uma medição precisa de alta corrente. O sistema DPT deve incluir técnicas de medição avançadas padrão, como compensação de sonda, ajuste de deslocamento, remoção de distorção e rejeição de ruído de modo comum. Também é necessária uma rotina de calibração semiautomatizada para corrigir erros de ganho e deslocamento do sistema. O sistema deve estar em conformidade com as diretrizes mais recentes do JEDEC para a caracterização padronizada de dispositivos WBG.
Testador de módulo de potência de semicondutor WBG
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