Wie man Drahtbondfehler mithilfe kapazitiver elektrischer Strukturprüfungen erkennt

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Drahtbondfehler bei Hochgeschwindigkeits-Kapazitätsprüfung

Die Drahtbondprüfung erfordert die Identifizierung physikalischer Verformungen, die die Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen nach dem Montageprozess beeinträchtigen können. Der Prüfablauf muss Defekte wie Beinahe-Kurzschlüsse, Drahtdurchhang, Drahtverkippung, abgelöste Drähte sowie fehlende oder zusätzliche Drähte erkennen und gleichzeitig eine konsistente Prüfung jedes verpackten Bauelements vor dem Funktionstest gewährleisten.

Der Inspektionsprozess umfasst die elektrische Prüfung jedes Bauteils, um durch Drahtbondverformungen verursachte Strukturfehler zu identifizieren. Eine zuverlässige Prüfung basiert auf zerstörungsfreier Messtechnik, automatisierter Grenzwertgenerierung, statistischer Ausreißererkennung und Hochdurchsatzprüfung, um die Halbleiterfertigung im Produktionsmaßstab zu unterstützen und gleichzeitig die Fehlerabdeckung und die Prüfeffizienz zu verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Elektrostrukturprüfung für Drahtbond-Screening

Der Keysight Electrical Structural Tester nutzt die Vectorless Test Enhanced Performance (nVTEP)-Technologie zur elektrischen Erkennung von Drahtbonddeformationen mittels kapazitiver Sensorik. Durch die Messung von Änderungen der kapazitiven Kopplung bei geerdeten Pins außer dem zu testenden Pin identifiziert das System Strukturdefekte wie Kurzschlüsse, Drahtdurchhang, Drahtverschiebung, abgelöste Drähte, zusätzliche oder fehlende Drähte sowie offene Verbindungen. Es unterstützt die parallele Prüfung von bis zu 20 Messpunkten mit Testzeiten von nur 0,9 Sekunden pro Messpunkt. Die automatische Grenzwertgenerierung, die statistische Ausreißererkennung und die nahtlose Integration mit automatisierten Handlern ermöglichen ein effizientes, wiederholbares und hochdurchsatzfähiges Inline-Screening für die Halbleiterfertigung.
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Siehe Blockdiagramm des S8050 EST mit nVTEP-Sensorplatte und paralleler Testarchitektur

Wie man Drahtbondfehler mithilfe kapazitiver elektrischer Strukturprüfungen erkennt

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