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제품 요구 사항을 지원하는 추가 콘텐츠
초저 전류부터 고전력 애플리케이션까지
디바이스 특성 분석 올인원 시스템
IV measurement system for device characterization.
파라메트릭 검증을 위한 웨이퍼 레벨 테스트 시스템.
Si, SiC 및 GaN 디바이스를 위한 고전력 테스트.
초저 전류 및 고저항 측정을 위한 계측기.
실리콘 개발을 위한 실시간 프로토타이핑 플랫폼.
초저 전류 라우팅을 위한 고전력 스위칭.
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키사이트 저누설 스위치 매트릭스는 초저전류 측정 및 높은 절연 성능이 요구되는 자동화된 반도체 테스트를 위해 설계되었습니다. 펨토암페어 수준에서 신호 무결성을 유지하도록 설계된 이 스위치 매트릭스는 측정 정확도를 저해하지 않으면서 여러 소자 또는 테스트 노드 간에 원활한 스위칭을 가능하게 합니다. 유연한 구성, 콤팩트한 폼 팩터 및 키사이트 분석기와의 손쉬운 통합을 통해 파라메트릭 테스트, 신뢰성 연구 및 웨이퍼 레벨 특성화에 이상적입니다. 선택에 도움이 필요하십니까? 아래 자료를 확인하십시오.
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차세대 전력 소자를 검증하려면 극한 조건에서 빠른 스위칭, 정밀한 타이밍 및 강력한 안전성을 제공하는 도구가 필요합니다. 키사이트 전력 소자 분석기/곡선 추적기는 SiC 및 GaN 트랜지스터의 동적 특성화를 위해 특수 제작되었으며, 스위칭 손실, 동적 온 저항 및 기생 효과를 정확하게 측정할 수 있습니다. 완전 통합 제어, 내장된 보호 기능 및 고전압 기능을 통해 엔지니어는 실제 스트레스 조건을 재현하고 전력 컨버터 개발을 안전하고 안정적으로 가속화할 수 있습니다.
반도체
이중 펄스 테스트를 통한 WBG 반도체 특성화.
반도체
트루 펄스 절연 프로브 기술을 사용한 WBG 반도체 전력 모듈 특성화.
반도체
소스 측정 장치를 사용한 저전력 IC 특성화.
반도체
소스/측정 장치를 사용한 IV LED 특성 평가.
반도체
저항 측정 중 오류 유발 요소 제거.
엄선된 지원 플랜과 우선적인 응답 및 처리 시간을 통해 빠르게 혁신하십시오.
예측 가능한 리스 기반 구독 및 전체 수명 주기 관리 솔루션을 통해 비즈니스 목표를 더 빠르게 달성하십시오.
KeysightCare 구독자로서 향상된 서비스를 경험하고 전담 기술 지원 및 더 많은 혜택을 받으세요.
테스트 시스템이 사양에 따라 작동하고 현지 및 글로벌 표준을 충족하는지 확인하십시오.
사내 강사 주도 교육 및 이러닝을 통해 신속하게 측정하십시오.
키사이트 소프트웨어를 다운로드하거나 최신 버전으로 업데이트하십시오.
반도체 테스트는 각각 고유한 요구 사항을 가진 광범위한 장치 스펙트럼에 걸쳐 있습니다. 여기에는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 및 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)와 같은 트랜지스터와 같은 기본 부품은 물론, 에너지 변환에 사용되는 다이오드, 정류기 및 전력 장치가 포함됩니다. 아날로그 및 디지털 변형을 포함한 집적 회로(IC) 또한 성능과 신뢰성을 보장하기 위해 정밀한 전기적 특성화를 요구합니다. 또한 센서(예: 온도, 압력 및 광학 센서)는 민감도 및 애플리케이션별 요구 사항으로 인해 특수 테스트 설정이 필요합니다.
첨단 소재의 부상과 함께 실리콘 카바이드(SiC) 및 갈륨 나이트라이드(GaN)와 같은 와이드 밴드갭 반도체는 고전력 및 고주파 애플리케이션에서 점점 더 중요해지고 있으며, 이는 더욱 정교한 테스트 접근 방식을 필요로 합니다. 이러한 각 장치 범주는 고유한 전기적 및 물리적 동작을 가집니다. 예를 들어, 나노암페어 또는 피코암페어 수준의 누설 전류, 전압에 따른 커패시턴스 변화 또는 고전압 항복 특성 등이 있습니다. 따라서 특수 테스트 및 측정 솔루션은 광범위한 환경 및 작동 조건에서 전류-전압(I-V) 동작, 커패시턴스, 누설, 스위칭 동특성 및 신뢰성을 정확하게 포착하는 데 중요합니다.
많은 반도체 장치, 특히 저전력, 정밀 또는 차세대 애플리케이션에 사용되는 장치는 극히 작은 전류 레벨, 때로는 펨토암페어(fA) 또는 피코암페어(pA) 범위에서 작동합니다. 이러한 규모에서는 테스트 시스템 자체에서 발생하는 미량의 누설 전류 또는 부유 전기 간섭조차도 결과를 왜곡하여 부정확한 특성화를 초래할 수 있습니다. 저누설 스위치 매트릭스는 테스트 대상 장치의 실제 동작을 가릴 수 있는 원치 않는 전류를 최소화하도록 설계되었으며, 고절연 측정 경로는 신호 간의 누화 또는 노이즈 커플링을 방지합니다. 이러한 기능은 센서와 같은 민감한 장치를 특성화하거나, 첨단 와이드 밴드갭 재료(SiC, GaN)를 테스트하거나, 안정적이고 반복 가능한 측정이 필수적인 장기 신뢰성 및 스트레스 테스트를 수행하는 데 특히 중요합니다. 저누설 및 고절연 성능이 없으면 엔지니어는 장치 특성에 대한 잘못된 결론을 내릴 위험이 있으며, 이는 설계 품질, 안전 및 애플리케이션 표준 준수에 잠재적으로 영향을 미칠 수 있습니다.
반도체 장치 특성화는 일반적으로 특정 전기적 또는 물리적 파라미터를 목표로 하는 다양한 상호 보완적인 측정 기술을 포함합니다. 전류-전압(I-V) 측정은 넓은 전압 범위에 걸쳐 전도, 문턱 전압, 누설 동작 및 항복 특성에 대한 통찰력을 제공하여 기초를 형성합니다. 커패시턴스-전압(C-V) 측정 또한 도핑 농도 프로파일, 산화막 품질 및 접합 특성에 대한 데이터를 제공하여 똑같이 중요합니다. 펄스 측정은 장치 성능 저하를 방지하면서 동적 동작을 포착하기 위해 짧은 에너지 버스트를 전달하므로 고전력 또는 열에 민감한 장치에 자주 사용됩니다.
고온 동작 수명(HTOL), 열 사이클링 및 바이어스 온도 불안정성(BTI) 평가와 같은 신뢰성 스트레스 테스트 기술은 장기 작동을 시뮬레이션하고 잠재적인 성능 저하 메커니즘을 식별하는 데 사용됩니다. 경우에 따라 대상 애플리케이션에 따라 과도 응답 분석, 시간 의존적 유전체 항복(TDDB) 또는 무선 주파수(RF) 특성화와 같은 고급 방법도 필요합니다. 이러한 기술은 함께 반도체의 성능, 견고성 및 배포 적합성에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다.
자동화는 현대 반도체 테스트의 초석이며, 특히 대량 생산 환경이나 복잡한 다중 장치 특성화를 처리하는 연구실에서 더욱 그렇습니다. 자동화된 프로브 스테이션, 로봇 핸들러 및 소프트웨어 기반 테스트 시퀀싱을 활용함으로써 조직은 처리량을 크게 늘리고 작업자 오류를 줄이며 대규모 데이터 세트 전반에 걸쳐 일관된 측정 반복성을 보장할 수 있습니다.
자동화는 또한 수백 또는 수천 개의 장치를 밤새 테스트할 수 있는 무인 웨이퍼 프로빙과 패키징된 장치에 대한 자동화된 배치 테스트와 같은 고급 기능을 지원합니다. 신뢰성 테스트에서 자동화는 사람의 개입 없이 지속적인 장기 스트레스 모니터링을 가능하게 하여 성능 편차의 조기 감지를 보장합니다. 또한 자동화된 시스템은 데이터 통합 및 분석을 용이하게 하여 엔지니어가 추세를 신속하게 식별하고 장치 모델을 개선하며 제품 개발 주기를 가속화할 수 있도록 합니다. 요컨대, 자동화는 효율성과 생산성을 향상시킬 뿐만 아니라 대규모로 엄격한 산업 표준에 대한 품질 관리 및 준수를 보장합니다.
반도체 산업은 새로운 재료, 고급 장치 아키텍처 및 새로운 애플리케이션 요구 사항에 의해 주도되는 빠른 혁신으로 특징지어집니다. 효과적으로 유지하려면 테스트 시스템은 유연하고 확장 가능해야 합니다. 모듈형 플랫폼을 통해 엔지니어는 전체 시스템 교체 없이 스위칭 용량을 확장하고, 새로운 측정 모듈을 추가하거나, 새로운 테스트 방법론을 통합할 수 있습니다.
예를 들어, 실리콘 카바이드(SiC) 및 갈륨 나이트라이드(GaN)와 같은 와이드 밴드갭 반도체가 전기 자동차 및 재생 에너지 시스템에서 더욱 보편화됨에 따라 테스트 시스템은 더 높은 전압, 더 빠른 스위칭 및 더 까다로운 열 조건을 처리할 수 있는 기능을 통합해야 합니다. 마찬가지로 차세대 통신 및 컴퓨팅 장치의 경우 고속 과도 분석 및 무선 주파수(RF) 테스트가 점점 더 필수적입니다.
적응성은 소프트웨어에도 적용됩니다. 최신 테스트 시스템은 개발 워크플로우에 원활하게 통합되도록 진화하는 표준, 데이터 형식 및 자동화 프레임워크를 지원해야 합니다. 확장성 및 업그레이드 가능성을 유지함으로써 반도체 테스트 시스템은 장치 및 애플리케이션의 지속적인 진화에 발맞추면서 투자 가치를 보호합니다.