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Solução de teste de memória IV pulsada de alto rendimento de 1 ns

A solução de teste de memória IV pulsada de alto rendimento de 1 ns Keysight NX5730A foi projetada para realizar medições IV pulsadas de alta velocidade e medições DC precisas.

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  • Número Máximo de Pinos de Medição

    2

  • Resolução Mínima de Medição de Corrente

    1 pA

  • Resolução Mínima de Medição de Tensão

    N/A

  • Características adicionais

    N/A

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Destaques

  • Caracterização precisa e rápida de novas memórias, como a memória de acesso aleatório magnetorresistiva com torque de transferência de spin (STT-MRAM), desde testes DC até testes IV pulsados de alta velocidade em pastilhas de silício.
  • Aplique tensões pulsadas precisas e de alta velocidade (até 1 ns de pulso) à junção de túnel magnético (MTJ) para STT-MRAM e meça com precisão a resistência da MTJ.
  • Realize todos os testes típicos de caracterização MTJ em uma única solução de teste de memória
  • Teste de ciclo 10 a 100 vezes mais rápido, como um teste de taxa de erro de bits (BERT)
  • Capture e visualize claramente as formas de onda de comutação MTJ durante o pulso de gravação.
  • Solução dedicada para teste de memória IV de 1 ns com a experiência técnica da Keysight
O que está incluído:
  • Gabinete do sistema
  • Unidade de controle PIV
  • Unidade receptora PIV

Serviços e suporte