Kurs | Parametrische Charakterisierung von Halbleitern – Teil 1

Parametrische Charakterisierung von Halbleitern – Teil 1

Kurse
13 Elemente

Erforschen Sie die Grundlagen und fortgeschrittenen Techniken der Halbleitercharakterisierung in diesem umfassenden Bootcamp. Anhand von Webinaren, Anwendungshinweisen und dem branchenführenden Handbuch von Keysight erwerben Sie praktische Fähigkeiten, um reale Herausforderungen bei der parametrischen Charakterisierung zu meistern, sei es bei der Validierung von nackten Chips, der Optimierung von Source Measure Units (SMUs) oder der Simulation von Designs für eine schnellere Time-to-Market.

Lernen:

Grundprinzipien parametrischer Testverfahren (CV-IV, quasistatische vs. Hochfrequenzmethoden).
SMU-Best Practices für präzise Low-Level-Messungen und virtuelles Prototyping mit ADS.
Advanced Charakterisierung von Leistungsbauelementen, einschließlich Gate-Ladung (JEDEC) und extrem niedrigem Rds-on für SiC/GaN.
Digitale Lernsuite für Testautomatisierung und Fernunterricht.

Dieses Bootcamp ist ideal für Halbleiterdesign- und Entwicklungsingenieure oder alle, die sich für die parametrische Charakterisierung von Halbleitern interessieren.

Lektionen

Lektion 1 – Was ist ein parametrischer Halbleitertest?

Führt in das Konzept der Kapazität in Halbleiterbauelementen ein und erörtert die verschiedenen Arten von Kapazität, die gemessen werden können.

Lektion 2 – Grundlagen der Messung

Erörtert die verschiedenen Methoden zur Messung der Kapazität, einschließlich quasistatischer und Hochfrequenzmethoden.

Applikationsberichte

Die parametrische Messung

The latest version (Edition 5) of Keysight Technologies’ popular Parametric Measurement Handbook is now available. Since its initial release in 2010, this handbook has proven itself to be an invaluable reference tool for scientists, engineers and technicians involved with any aspect of parametric test. It is filled with tips to help both novice and advanced users, and the latest edition includes new sections on modular SMUs, high-resistance test, non-volatile memory test, and double pulse testing of power semiconductor devices.   Key topics covered in this handbook: <ul> <li>Parametric measurement basics</li> <li>SMU fundamentals</li> <li>On-wafer parametric measurements</li> <li>Time-dependent and high-speed measurements</li> <li>Resistance, diode and transistor measurements</li> <li>Semiconductor capacitance measurement</li> <li>Power device characterization</li> </ul>

Lektion 3 – Quellen-/Maßeinheiten (SMUs) für parametrische Tests

Bietet einen detaillierten Überblick über die quasistatische Methode zur Kapazitätsmessung.

Lektion 4 – Tipps für genaue Messungen im niedrigen Bereich

Ein detaillierter Überblick über die Hochfrequenzmethode zur Kapazitätsmessung.

Lektion 5 – SMU-Portfolio

Erörtert die verschiedenen Komponenten, die zur Erstellung einer vollständigen CV-IV-Messlösung erforderlich sind.

Fallstudien

ADS unterstützt SiGe Semiconductor bei der schnellen Markteinführung virtueller Muster

Sehen Sie, wie SiGe Semiconductor ADS RFIC Design von Keysight verwendet, um seinen Kunden virtuelle Muster zur Verfügung zu stellen und über 30 Kunden IC Design Wins erzielt hat.

Applikationsberichte

Statische und dynamische Gate-Ladungsmessung

Diese Anwendungsbeschreibung hilft Ihnen, die Gate-Ladungsmessung für eine optimale Leistungsfähigkeit von Leistungsschaltungen zu verstehen.

Applikationsberichte

Messungen des ultra-niedrigen Ein-Widerstands von SiC-MOSFETs

Diese Anwendungsbeschreibung enthält Tipps zur Messung von extrem niedrigen Rds-on-Werten mit dem Leistungsbauelementanalysator/Kurventracer B1505A.

White Paper

Dynamische Charakterisierung eines nackten Leistungshalbleiterchips

Das white paper beschreibt die Herausforderungen bei der Durchführung dynamischer Messungen auf einem nackten Leistungshalbleiterchip und wie Keysight diese Herausforderungen mithilfe verschiedener, einzigartiger Technologien bewältigt.

Applikationsberichte

Verstärkung der Halbleiterlehre durch die Digital Learning Suite

In diesem Anwendungshinweis wird das Verfahren zur Messung von MOSFETS und die Verwendung einer SMU zur Bestimmung von IV-Messungen erläutert.

Lösung Briefs

Charakterisierung von Halbleitern mit breiter Bandlücke

Die All-in-One-Prüflösung von Keysight hilft Ihnen bei der Charakterisierung von Halbleitern mit breiter Bandlücke, wobei ein Doppelimpuls-Prüfsystem verwendet wird, um eine sichere Umgebung für die Benutzer zu gewährleisten.

Lektion 6 – Zusammenfassung und zusätzliche Ressourcen

Zusammenfassung der wichtigsten im Kurs behandelten Konzepte und Links zu weiterführenden Ressourcen.

Zugehöriges Produkt

Verwandter Anwendungsfall