Charakterisierung von Hochleistungs-Bipolartransistoren mit isoliertem Gate

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Charakterisierung von Hochleistungs-IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) mit einer einzigen Messplattform

Leistungshalbleiterbauelemente für Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energiesysteme, industrielle Motorantriebe, Schienenfahrzeuge und Leistungswandlungsanwendungen erfordern vor der Produktion eine umfassende elektrische Charakterisierung. Ingenieure müssen Ausgangskennlinien, Übertragungskennlinien, Sättigungsspannung, Durchbruchspannung, Leckstrom und Kapazität über weite Spannungs- und Strombereiche hinweg bei gleichzeitiger Gewährleistung der Messgenauigkeit ermitteln.

Die herkömmliche Charakterisierung erfordert typischerweise mehrere Messgeräte – darunter ein Kennlinienschreiber, ein Kapazitätsmessgerät, eine Hochspannungsquelle und ein Produktionstester –, um diese Messungen durchzuführen. Dies erhöht die Komplexität des Versuchsaufbaus, verlängert die Charakterisierungszeit und erfordert den Wechsel zwischen verschiedenen Testplattformen. Ingenieure benötigen zudem gepulste Messungen, um die Eigenerwärmung der Bauelemente zu minimieren und eine genaue Charakterisierung von Hochstrombauelementen zu gewährleisten.

Komplette Lösung zur Charakterisierung von Hochleistungs-IGBTs

Die Charakterisierung von Hochleistungs-IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) erfordert eine Messlösung, die Hochstrom-, Hochspannungs-, Puls- und Kapazitätsmessungen auf einer einzigen Plattform ermöglicht. Der Keysight Power Device Analyzer/Curve Tracer vereint präzise Stromquellenmessung, Parametermessung und automatisierte Analyse und unterstützt Messungen bis zu 1500 A und 10 kV. Zusammen mit der EasyEXPERT Group+ Software, interaktiver Kurvenverfolgung, Oszilloskop-Wellenformvisualisierung und automatischer Modulauswahl optimiert die Lösung die Charakterisierungsabläufe, verbessert die Messwiederholbarkeit und gewährleistet eine präzise Bewertung von Leistungshalbleiterbauelementen.
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