Comment caractériser les transistors bipolaires à grille isolée (IGB) de forte puissance
Caractérisation des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de forte puissance à l'aide d'une plateforme de mesure unique
Les dispositifs semi-conducteurs de puissance utilisés dans les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable, les entraînements de moteurs industriels, le transport ferroviaire et les applications de conversion de puissance nécessitent une caractérisation électrique complète avant leur mise en production. Les ingénieurs doivent évaluer les caractéristiques de sortie, les caractéristiques de transfert, la tension de saturation, la tension de claquage, le courant de fuite et la capacité sur de larges plages de tension et de courant, tout en garantissant la précision des mesures.
La caractérisation traditionnelle nécessite généralement plusieurs instruments — notamment un traceur de courbes, un capacimètre, une source haute tension et un testeur de production — pour effectuer ces mesures. Cela accroît la complexité de la mise en place, allonge la durée de la caractérisation et oblige à passer d’une plateforme de test à l’autre. Les ingénieurs ont également besoin de mesures par impulsions afin de minimiser l’auto-échauffement des composants et de garantir une caractérisation précise des composants à courant élevé.
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Analyseur de dispositifs de puissance / traceur de courbes B1505A
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