Cómo caracterizar los transistores bipolares de puerta aislada de alta potencia

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Caracterización de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de alta potencia mediante una única plataforma de medición

Los dispositivos semiconductores de potencia utilizados en vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable, accionamientos de motores industriales, transporte ferroviario y aplicaciones de conversión de potencia requieren una caracterización eléctrica exhaustiva antes de su fabricación. Los ingenieros deben evaluar las características de salida, las características de transferencia, la tensión de saturación, la tensión de ruptura, la corriente de fuga y la capacitancia en amplios rangos de tensión y corriente, manteniendo al mismo tiempo la precisión de las mediciones.

La caracterización tradicional suele requerir el uso de varios instrumentos —entre ellos, un trazador de curvas, un medidor de capacitancia, una fuente de alta tensión y un comprobador de producción— para realizar estas mediciones. Esto aumenta la complejidad de la configuración, alarga el tiempo de caracterización y obliga a alternar entre varias plataformas de ensayo. Los ingenieros también necesitan mediciones por impulsos para minimizar el autocalentamiento de los dispositivos y garantizar una caracterización precisa de los dispositivos de alta corriente.

Solución completa para la caracterización de IGBT de alta potencia

La caracterización de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de alta potencia requiere una solución de medición capaz de realizar pruebas de alta corriente, alta tensión, pulsadas y de capacitancia en una única plataforma. El analizador de dispositivos de potencia / trazador de curvas de Keysight combina una fuente de alimentación de precisión, la medición de parámetros y el análisis automatizado, al tiempo que admite mediciones de hasta 1500 A y 10 kV. Junto con el software EasyEXPERT Group+, el trazado interactivo de curvas, la visualización de formas de onda mediante osciloscopio y la selección automática de módulos, la solución ayuda a los ingenieros a optimizar los flujos de trabajo de caracterización, mejorar la repetibilidad de las mediciones y garantizar una evaluación precisa de los dispositivos semiconductores de potencia.
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