Come caratterizzare i transistor bipolari a gate isolato ad alta potenza

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Caratterizzazione dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) ad alta potenza mediante un’unica piattaforma di misurazione

I dispositivi a semiconduttori di potenza utilizzati nei veicoli elettrici, nei sistemi di energia rinnovabile, negli azionamenti per motori industriali, nel trasporto ferroviario e nelle applicazioni di conversione di potenza richiedono una caratterizzazione elettrica completa prima della produzione. Gli ingegneri devono valutare le caratteristiche di uscita, le caratteristiche di trasferimento, la tensione di saturazione, la tensione di rottura, la corrente di dispersione e la capacità su ampi intervalli di tensione e corrente, mantenendo al contempo l'accuratezza delle misurazioni.

La caratterizzazione tradizionale richiede in genere l’uso di più strumenti — tra cui un tracciatore di curve, un misuratore di capacità, una sorgente di alta tensione e un tester di produzione — per eseguire queste misurazioni. Ciò aumenta la complessità della configurazione, allunga i tempi di caratterizzazione e richiede il passaggio da una piattaforma di test all’altra. Gli ingegneri hanno inoltre bisogno di misurazioni a impulsi per ridurre al minimo l’autoriscaldamento dei dispositivi e garantire una caratterizzazione accurata dei dispositivi ad alta corrente.

Soluzione completa per la caratterizzazione degli IGBT ad alta potenza

La caratterizzazione dei transistor bipolari a gate isolato (IGBT) ad alta potenza richiede una soluzione di misura in grado di eseguire test ad alta corrente, alta tensione, a impulsi e di capacità su un’unica piattaforma. Il Power Device Analyzer / Curve Tracer di Keysight combina la generazione di corrente di precisione, la misurazione dei parametri e l’analisi automatizzata, supportando misurazioni fino a 1500 A e 10 kV. Insieme al software EasyEXPERT Group+, al tracciamento interattivo delle curve, alla visualizzazione delle forme d’onda tramite oscilloscopio e alla selezione automatica dei moduli, la soluzione aiuta gli ingegneri a semplificare i flussi di lavoro di caratterizzazione, a migliorare la ripetibilità delle misurazioni e a garantire una valutazione accurata dei dispositivi a semiconduttori di potenza.
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