Cómo realizar una caracterización combinada de IV y CV

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Automatización de la caracterización de IV y CV

La caracterización de dispositivos semiconductores suele requerir mediciones tanto de corriente-tensión (IV) como de capacitancia-tensión (CV) en el mismo dispositivo mientras este permanece en la oblea. El sistema de medición debe permitir la generación precisa de corriente y tensión, junto con mediciones de capacitancia a múltiples frecuencias, al tiempo que mantiene conexiones de cable estables, minimiza los efectos parásitos y realiza una compensación precisa de los errores de medición residuales.

El proceso de medición combina la unidad SMU CMU Unify (SCUU), una unidad de medición de capacitancia multifrecuencia (MFCMU) y un sistema de conmutación automática, lo que permite realizar mediciones IV y CV sin necesidad de volver a conectar los cables de medición. Las rutinas de compensación integradas y la secuenciación automática de las mediciones permiten una caracterización repetible, al tiempo que se mantiene la precisión de la medición en múltiples puntos de prueba de la oblea.

Solución automatizada para la caracterización de la respuesta CV intravenosa

La caracterización combinada de IV y CV requiere una plataforma de medición capaz de alternar sin interrupciones entre mediciones de corriente-tensión y capacitancia-tensión de precisión, manteniendo al mismo tiempo una configuración de sonda estable. La solución integra el analizador de dispositivos semiconductores de Keysight con la unidad de medición de capacitancia multifrecuencia (MFCMU), las unidades de monitorización de fuente (SMU), la unidad SMU CMU Unify (SCUU) y la unidad de conmutación de protección (GSWU) para automatizar el enrutamiento de las mediciones sin necesidad de cambios manuales de cables. El software EasyEXPERT gestiona la conmutación IV/CV, la compensación de circuito abierto/cortocircuito, la compensación de carga opcional y la ejecución automatizada de pruebas. La SCUU también amplía la capacidad de polarización de CC para mediciones de capacitancia hasta ±100 V utilizando las SMU conectadas, al tiempo que mantiene una caracterización precisa y repetible de los dispositivos semiconductores.
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