そのタイミングバジェット正しいですか？　⇒　電源変動・配線特性を加味した解析

DDRを用いた基板設計では、よりコストを抑えた調達先の変更などを考慮し、余裕を持たせた設計が必要になります。
シミュレーション誤差の為に、試作時にマージンがないことに気づく、なんて恐ろしいことは避け無くてはなりません。

ADS は高精度でより現実に近い解析環境を提供します。
ADSを使うことにより、シミュレーション時に想定した設計マージンが実基板でも実現できます。 

近接する信号に想定される信号源を配置し、クロストークの影響を考慮したアイパターン解析が可能です。

ADSではDDR2,3をはじめ各種規格のコンプライアンステストに対応しています。

IBISモデル使っても実測と合わない！
というお声をよく耳にします。

IBISモデルを利用する際に、理想電源、理想GNDでお使いになられているのではないでしょうか。

実際の基板上では、理想電源、GNDは存在しません。
ADSでは実際の電源の状態、GNDの状態を加味したIBISモデルを使った解析が可能です。

  • ADSの配線モデルは回路シミュレーションで利用できる多層基板に対応した配線モデルです。
  • モデルは様々な形状が酔いされています。
  • 電磁界シミュレーションの技術をベースにし、高精度ながら高速な解析を実現しています。
  • 素材の物理形状、表皮効果、配線間の結合、複数の層にまたがった結合も考慮されます。

 

アプリケーションノートのダウンロード

IBISモデルを使用した高速シリアル・チャネルのシミュレーション

Sパラメータ・モデルを使用したFPGAのパワー・インテグリティ・シミュレーション

 

☑　電源挙動を加味したIBISモデルでの解析
☑　高精度伝送線路モデル
☑　クロストークを加味した高速愛パターン解析