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PathWave 디바이스 모델링(IC-CAP) 2020 업데이트 1.0
Highlights
PathWave 디바이스 모델링(IC-CAP) 2020 업데이트 1.0의 새로운 기능
- 새로운 CMC GaN RF 번들 및 애드온 – 새로운 CMC(Compact Model Coalition) 물리학 기반 RF GaN 모델(ASM-HEMT와 MVSG)
- 향상된 BSIMCMG 및 BSIMBULK RF 추출 패키지 – 이 릴리즈에 포함된 UI 업데이트, 버그 픽스와 몇 가지 향상 기능
- 업데이트된 Angelov-GaN 모델링 추출 패키지 - 이제 ADS 2019 업데이트 1.0 및 ADS 2020과 함께 사용
- ADS 2020 지원 – 시뮬레이터 인터페이스 변화 때문에 ICCAP 2020은 ADS 2020과 함께 사용해야 합니다.
- ELDO를 이용한 동시 AC/DC 시뮬레이션
- 버그 픽스와 성능 향상 – 새로운 픽스와 IC-CAP 2018 업데이트 0.1 및 0.2와 함께 배송된 이전 픽스를 포함합니다.
PathWave 디바이스 모델링(IC-CAP) 2020 업데이트 1.0을 지금 이용할 수 있습니다!
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Description
PathWave 디바이스 모델링(IC-CAP) 2020 업데이트 1.0은 새로운 CMC(Compact Model Coalition) 물리학 기반 RF GaN 모델 ASM-MEMT와 MVSG를 포함하고 있습니다. 5G와 레이다 어플리케이션 둘 다 최신 RF GaN 디바이스에 대한 수요가 매우 높습니다. 오래된 경험 모델은 이러한 디바이스가 보여주는 극한의 전력 및 대규모 신호 거동을 예측하는 데 충분히 정확하지 않은 경우가 많습니다. 두 개의 새로운 CMC 모델은 모델이 특성분석 구역에서 많이 벗어난 성능을 정확하게 예측할 수 있도록 기본 반도체 물리학에 의존합니다. 키사이트는 디바이스 모델링 포트폴리오에 이들 두 가지 모델을 추가하여 경험적, AI 기반 및 물리학 기반 RF GaN 모델의 완전한 세트를 제공합니다. 이제 고객은 어떤 모델이 어플리케이션과 워크플로에 가장 적합한지 선택할 수 있는 옵션을 갖게 되었습니다.
2020년을 위한 디바이스 모델링의 변화를 이끌어가는 것은 무엇입니까?
- 우수한 파워, 크기 및 효율성이라는 장점으로 인해 증가하는 5G 및 A/D 어플리케이션의 수요가 산업을 GaN 기술 쪽으로 이끌어가고 있습니다.
- Pathwave 디바이스 모델링의 2020 릴리즈는 5G 및 레이다 어플리케이션용 모델을 개발하는 RF 모델링 엔지니어를 대상으로 합니다.
- 이 릴리즈는 RF GaN 모델 세트(경험적, 물리학 기반 및 ANN)를 완성하여 최고의 RF 모델 추출 제공업체로서 키사이트의 입지를 굳건하게 합니다.

그림 1. PathWave 디바이스 모델링(IC-CAP)의 RF GaN
PATHWAVE 디바이스 모델링(IC-CAP) 2020 업데이트 1.0의 새로운 기능
새로운 CMC GaN RF 번들과 애드온
- W8524BP IC-CAP CMC GaN RF 모델링 번들 애드온은 새로운 CMC 물리학 기반 모델(ASM-HEMT와 MVSG_CMC)을 제공합니다.
- W8525BP IC-CAP CMC GaN RF 모델링 번들은 W8500BP 모델링 세트 번들과 W8524BP GaN RF 애드온을 포함합니다.
IC-CAP는 GaN 디바이스 모델을 위해 UC Berkeley와 ITT Kanpur가 공동 개발한 ASM-HEMT 모델과 MIT가 개발한 MVSG 모델 등 두 가지 물리학 기반 모델의 새로운 추출 흐름을 제공합니다. 두 모델 모두 CMC(Compact Model Coalition)에 의한 산업 표준으로 인정받았습니다.
이들 모델은 물리학 기반 모델로서 GaN 프로세스 개발자에게 통찰력을 제공할 수 있습니다. 예를 들어, 프로세스 엔지니어는 전체적 전력 앰프 효율성에 대한 이동성 증가 또는 접촉 저항 감소의 이점을 배울 수 있습니다. 두 모델은 전기-열 및 캐리어 트래핑 효과뿐만 아니라 액세스 구역, 속도 포화, 필드 플레이트 및 DIBL(Drain-Induced Barrier Lowering) 같은 비선형 RF 동작에 강력한 영향을 미치는 다른 중요한 효과도 고려합니다.
PathWave 디바이스 모델링(IC-CAP) 2020에서 소개된 RF GaN 툴킷은 사용하기 쉬운 사용자 인터페이스로 ASM-HEMT 및 MVSG 모델 파라미터를 추출하기 위한 탁월한 출발점 역할을 합니다. 이제 단일 플랫폼에서 측정을 시작하고 데이터를 IC-CAP 플랫폼으로 가져와서 모델 파라미터를 추출한 다음, 그에 따른 모델 카드를 ADS(Advanced Design System) 또는 이들 모델을 실행할 수 있는 다른 시뮬레이터로 내보낼 수 있습니다. 두 개의 흐름 예가 제시되는데 하나는 MVSG용이고 다른 하나는 ASM-HEMT용입니다.
업데이트된 BSIMBULK와 BSIMCMG RF 추출 패키지
BSIMCMG-RF를 모델 패키지로 업데이트하고 BSIM6-RF를 BSIMBULK-RF 모델 패키지로 대체합니다. 모델 패키지 버전 2.3 업데이트는 다음을 포함합니다.
- UI 업데이트
- 버그 픽스와 안정성 증가
- 새로운 ADS 회로 모델
- HSPICE 회로 모델의 업데이트
- 모델 패키지 설명서의 업데이트
- MDM 파일의 완전한 폴더 로딩을 허용하는 새로운 기능
- MDM 파일 가져오기 사용자 지정 옵션, 경고 및 에러 핸들러 추가됨
- 모델 파일 | 파라미터 수동 및 자동 튜너 | 최적화기 트리거 저장 기능 추가됨
- 스케일링 방법 특징 개선
- 파라미터 추출을 위해 추가된 최적화기

그림 2. PathWave 디바이스 모델링(IC-CAP)의 BSIM-CMG RF 모델링.
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