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Hochdurchsatz-1-ns-Puls-IV-Speichertestlösung

Die Keysight NX5730A High Throughput 1 ns Pulsed IV Memory Test Solution ist für die Durchführung von Hochgeschwindigkeits-Pulsstrom- und präzisen Gleichstrommessungen konzipiert.

Produktbild

  • Maximum number of measurement pins

    2

  • Minimum current measurement resolution

    1 pA

  • Minimum voltage measurement resolution

    N/A

  • Additional features

    N/A

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Highlights

  • Präzise und schnelle Charakterisierung neuer Speicher, wie z. B. Spin-Transfer-Torque-Magnetronesistiver-Random-Access-Speicher (STT-MRAM), von Gleichstrom- bis hin zu Hochgeschwindigkeits-Pulsstrom-Tests auf Siliziumwafern.
  • An magnetischen Tunnelkontakten (MTJ) für STT-MRAM werden präzise und schnelle Impulsspannungen (bis zu 1 ns Impulsdauer) angelegt und der Widerstand der MTJ präzise gemessen.
  • Führen Sie alle typischen MTJ-Charakterisierungstests in einer einzigen Speichertestlösung durch.
  • 10- bis 100-mal schnellerer Zyklustest, wie z. B. ein Bitfehlerratentest (BERT)
  • Erfassen und visualisieren Sie die Schaltwellenformen der MTJ während des Schreibimpulses deutlich.
  • Spezielle 1-ns-IV-Speichertestlösung mit technischer Expertise von Keysight
Im Lieferumfang enthalten:
  • Systemschrank
  • PIV-Antriebseinheit
  • PIV-Empfängereinheit

Dienstleistungen und Support