FETの性能を最大限に引き出すADSを活用したPA設計 | キーサイト
アプリケーションノート
このアプリケーション・ノートでは、ロードプル・シミュレーションとCree社の電界効果トランジスタ（FET）のDCI-Vシミュレーションを主に行うワークスペース1をご紹介します。このワークスペースを使用すれば、得られる性能（出力パワー、利得、電力付加効率（PAE）など）や、必要な性能レベルを達成するための信号源／負荷インピーダンスを確認できます。スケマティックとデータ・ディスプレイにより、以下の項目を求めることができます。
- 達成できる出力パワーの大きさと、そのパワーでの利得／利得圧縮レベル。
- 出力パワーに対する利得、利得圧縮、電力付加効率、バイアス電流、隣接チャネル漏洩電力（ACPR）、エラー・ベクトル振幅（EVM）と、それらの値に対する信号源／負荷インピーダンス。
- 負荷インピーダンスに対する性能の感度。
- 周波数、バイアス、信号源の寄生インダクタンスなど、さまざまなパラメータに伴う、最適な負荷インピーダンスの変化。
- 信号源インピーダンスに対する性能の依存性。
- 負荷／信号源での2次/3次高調波インピーダンスに対する性能の依存性。
- 出力パワーと電力負荷効率とのトレードオフ。
シミュレーションに使用したデバイスはCGHV1J025_r7_cree_v440_dieで、データは、Cree社のデバイス・モデルやPDK Webページ：https://portal.cree.com/human.aspx（ログインが必要です）からダウンロードできます。このシミュレーション・セットアップとデータ・ディスプレイは、パラメータを少し変更するだけで他のデバイスにも対応できるように作成されています。
目次
- デバイスのI-V曲線のシミュレーション
- 予備的なロードプル・シミュレーション
- 信号源パワー掃引を用いたロードプル
- 出力パワーに対する等高線とデータ
- 信号源出力パワーに対する等高線とデータ
- 利得圧縮ポイント（XdB）に対する等高線とデータ
- 2次/3次高調波による性能の変化
- より適切な高調波負荷を用いたロードプルのパワー掃引の再実行
- 出力パワー・バックオフでのロードプル・データ
- 変調信号を用いたACPR、EVM、その他のデータのプロット
- 基本波／高調波の信号源／負荷の反射係数を同時に最適化
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