Solución de prueba de memoria IV con pulsos de 1 ns y alto rendimiento

La solución de pruebas de memoria IV pulsada de alto rendimiento y 1 ns Keysight NX5730A está diseñada para realizar mediciones IV pulsadas de alta velocidad y mediciones de CC precisas.

imagen_del_producto
  • Maximum number of measurement pins

    2

  • Minimum current measurement resolution

    1 pA

  • Minimum voltage measurement resolution

    N/A

  • Additional features

    N/A

¿Listo para un presupuesto?

Descubra qué incluye y explore las opciones de actualización disponibles de Keysight.

Destacados

  • Caracterización precisa y rápida de nuevas memorias, como la memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva por par de transferencia de espín (STT-MRAM), mediante pruebas de corriente-voltaje (IV) desde corriente continua hasta pulsos de alta velocidad en obleas de silicio
  • Aplicar tensiones pulsadas precisas y de alta velocidad (con pulsos de hasta 1 ns) a la unión túnel magnética (MTJ) para STT-MRAM y medir con precisión la resistencia de la MTJ
  • Realiza todas las pruebas típicas de caracterización de MTJ en una única solución de pruebas de memoria
  • Prueba de ciclo entre 10 y 100 veces más rápida, como una prueba de tasa de error de bits (BERT)
  • Captura y visualiza con claridad las formas de onda de conmutación de la unión MTJ durante el pulso de escritura
  • Solución especializada para pruebas de memoria IV de 1 ns con la experiencia técnica de Keysight
Qué incluye:
  • Armario de sistema
  • Unidad controladora PIV
  • Unidad receptora PIV