Cómo optimizar un modelo de fotodetector PIN para un proceso de fundición de fotónica de silicio

Obtener presupuesto
Automatización del diseño electrónico
+ Automatización del diseño electrónico
Automatización del diseño electrónico
+ Automatización del diseño electrónico

Personalización de modelos para procesos de fundición

Para optimizar un modelo de fotodetector de tipo positivo-intrínseco-negativo (PIN) es necesario representar con precisión tanto el comportamiento del semiconductor como los efectos parásitos inducidos por la disposición del circuito. Configura una simulación de pequeña señal de corriente alterna (CA) con el fotodetector, los componentes parásitos, la tensión de polarización, la resistencia de carga y la entrada óptica; a continuación, importa los datos empíricos del dispositivo para el rango de frecuencias correspondiente.

Compara la respuesta simulada con la medida y optimiza las variables responsables de la discrepancia. Entre los parámetros candidatos se incluyen la capacitancia, la inductancia y la resistencia parásitas, la resistencia en serie, la capacitancia de unión y las variables relacionadas con la deriva y la difusión. Verifica los parámetros optimizados en múltiples condiciones de polarización, manteniendo fijas las variables parásitas y permitiendo que las variables adecuadas del fotodetector varíen en función de la polarización.

Optimizar la solución del modelo del fotodetector

Realiza la prueba comparando una simulación de un fotodetector de pequeña señal de CA con los datos de medición de un dispositivo fabricado y optimizando los parámetros del modelo que producen discrepancias. Keysight Photonic Designer proporciona una plantilla de kit de diseño de procesos (PDK) de fotónica de silicio que contiene modelos basados en la física para componentes ópticos y electroópticos. El modelo del fotodetector PIN representa las propiedades del semiconductor, así como los efectos parásitos prácticos del diseño, como las vías y las almohadillas metálicas. La optimización permite ajustar los efectos parásitos, la resistencia en serie, la capacitancia de unión y los parámetros relacionados con la deriva y la difusión dentro de rangos realistas, con el fin de correlacionar la simulación con los datos empíricos. A continuación, la verificación en múltiples escenarios permite evaluar el modelo optimizado en diferentes condiciones de polarización inversa.
Obtener presupuesto

Consulte el diagrama de bloques de la solución «Optimización del modelo del fotodetector»

Fotodetector PIN

Fotodetector PIN

Descubre los productos de nuestra solución «Optimización del modelo del fotodetector»

Casos prácticos relacionados

Cómo automatizar la extracción y el recentrado de los parámetros de los modelos de dispositivos

Automatizar la extracción de parámetros de los modelos de dispositivos y el reajuste de los modelos mediante el aprendizaje automático para explorar amplios rangos de parámetros, adaptarse a múltiples objetivos y reducir el número de simulaciones de modelos necesarias.

Más información

Cómo diseñar circuitos de qubits superconductores

Diseña circuitos de qubits superconductores, analiza los modos resonantes mediante simulación electromagnética de onda completa y exporta diseños GDS listos para su fabricación.

Más información

Cómo modelar y simular circuitos de uniones Josephson con cuantificación de flujo

Modelar circuitos de uniones Josephson con cuantificación de flujo en ADS utilizando componentes sensibles al flujo y simulaciones de corriente continua, parámetros S, transitorios y de equilibrio armónico.

Más información

contacto logotipo

Póngase en contacto con uno de nuestros expertos

¿Necesita ayuda para encontrar la solución adecuada para usted?

Contáctenos