Soluzione di test della memoria IV pulsata ad alta velocità di elaborazione da 1 ns

La soluzione di test con memoria IV pulsata da 1 ns ad alta velocità Keysight NX5730A è progettata per eseguire misurazioni IV pulsate ad alta velocità e misurazioni DC precise.

immagine_prodotto
  • Maximum number of measurement pins

    2

  • Minimum current measurement resolution

    1 pA

  • Minimum voltage measurement resolution

    N/A

  • Additional features

    N/A

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Scopri cosa è incluso ed esplora le opzioni di aggiornamento disponibili da Keysight.

Punti salienti

  • Caratterizzazione precisa e veloce di nuove memorie, come la memoria ad accesso casuale magnetoresistiva con coppia di trasferimento di spin (STT-MRAM), dal test CC al test IV pulsato ad alta velocità su wafer di silicio.
  • Applicare tensioni pulsate accurate e ad alta velocità (fino a 1 ns di impulso) alla giunzione a tunnel magnetico (MTJ) per STT-MRAM e misurare con precisione la resistenza della MTJ.
  • Eseguire tutti i test tipici di caratterizzazione MTJ in un'unica soluzione di test della memoria
  • Test di ciclo da 10 a 100 volte più veloce, come il test del tasso di errore binario (BERT)
  • Acquisizione e visualizzazione chiara delle forme d'onda di commutazione MTJ durante l'impulso di scrittura
  • Soluzione dedicata per il test della memoria IV da 1 ns con competenza tecnica Keysight
Cosa è incluso:
  • Armadio di sistema
  • Unità driver PIV
  • Unità ricevente PIV