Voici la page que nous pensons que vous vouliez. Voir les résultats de la recherche à la place :

Solution de test de mémoire IV à impulsions de 1 ns et à haut débit

La solution de test de mémoire IV à impulsions de 1 ns et haut débit Keysight NX5730A est conçue pour effectuer des mesures IV à impulsions à grande vitesse et des mesures CC précises.

image_produit

  • Maximum number of measurement pins

    2

  • Minimum current measurement resolution

    1 pA

  • Minimum voltage measurement resolution

    N/A

  • Additional features

    N/A

sortDropdown icon View Technical Specifications

Prêt pour un devis

Découvrez ce qui est inclus et explorez les options de mise à niveau disponibles auprès de Keysight.

Points forts

  • Caractérisation précise et rapide de nouvelles mémoires, telles que la mémoire à accès aléatoire magnétorésistive à couple de transfert de spin (STT-MRAM), allant des mesures en courant continu aux tests de courant-tension pulsés à haute vitesse sur des plaquettes de silicium
  • Appliquer des tensions pulsées précises et à haute vitesse (avec des impulsions d'une durée minimale de 1 ns) à une jonction tunnel magnétique (MTJ) destinée à la mémoire STT-MRAM et mesurer avec précision la résistance de cette jonction
  • Réalisez tous les tests de caractérisation MTJ courants au sein d'une seule solution de test de mémoire
  • Test de cycle 10 à 100 fois plus rapide, tel qu'un test de taux d'erreur sur les bits (BERT)
  • Capturer et visualiser clairement les formes d'onde de commutation MTJ pendant l'impulsion d'écriture
  • Solution dédiée de test de mémoire IV à 1 ns, s'appuyant sur l'expertise technique de Keysight
Ce qui est inclus :
  • Armoire système
  • Unité de commande PIV
  • Unité de réception PIV

Services et assistance