Modulare Sensoren für maßgeschneiderte photonische Testaufbauten

Die optischen Leistungsmessköpfe von Keysight dienen als Sensoreinheit, die optische Signale in elektrische Messsignale umwandelt. Jeder Messkopf ist auf Genauigkeit und Langlebigkeit ausgelegt und für spezifische Wellenlängenbereiche und Leistungspegel kalibriert. Zu den Sensortypen gehören InGaAs-, Germanium- und Siliziumdetektoren, optional mit Ulbricht-Kugeln und Filtern für optimale Leistung. Dank der Unterstützung einer Vielzahl von Glasfaseranschlüssen und -konfigurationen können Sie Ihre Messanordnung optimal an Ihre Anwendung anpassen. Kombinieren Sie den passenden Sensorkopf mit der benötigten Schnittstelle, um maximale Genauigkeit zu erzielen, vor Überlastung zu schützen und Ihr spezifisches Prüfobjekt optimal zu berücksichtigen. Wählen Sie eine unserer gängigen Konfigurationen oder konfigurieren Sie eine speziell für Ihre Anwendung angepasste Lösung.

Wellenlängenoptimierte Sensoren

Erhältlich mit InGaAs-, Silizium- oder Germaniumsensoren, die für spezifische Spektralbereiche optimiert sind, um eine hohe Genauigkeit und Empfindlichkeit bei optischen Messungen zu gewährleisten.

Breiter Leistungsbereich

Messungen von Pikowatt bis hin zu hohen Leistungspegeln werden mit speziellen Messköpfen durchgeführt, was eine präzise Charakterisierung von Signalen niedriger Pegel und einen Schutz vor Überlastungen bei hohen Leistungen ermöglicht.

Austauschbare Anschlüsse

Die Unterstützung einer Vielzahl von optischen Steckverbindertypen ermöglicht eine einfache Anpassung an verschiedene Prüflinge (DUTs) und Testszenarien ohne umfangreiche Neukonfiguration.

Polarisationsempfindlich

Niedrige polarisationsabhängige Verluste (PDL) bei polarisationssensitiven Anwendungen ermöglichen genauere und zuverlässigere Messungen.

Produktbild
  • Type

    Head, Interface

  • Power range

    +10 dBm to -90 dBm, +10 dBm to -80 dBm, +27 dBm to -70 dBm, +40 dBm to -60 dBm

  • Wavelength range

    800 nm to 1700 nm, 450 nm to 1020 nm, 750 nm to 1800 nm, 850 nm to 1650 nm

  • Sensor type

    InGaAs, Si, Ge

  • Uncertainty at reference conditions

    ± 2.2% bis ± 3.0%

Häufig gestellte Fragen