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W3626B PathWave ADS Core, EM Design, Layout, HSD Ckt Sim, 메모리, SIPro, PIPro
예측적이고 생산적이고 통찰력 있는 설계 여정을 위한 화합형 SI 및 PI 워크플로
고속 직렬, 메모리, 신호 무결성 및 전력 무결성을 위한 레이아웃 후 검증을 포함합니다.
주요 특징
W3626B PathWave ADS Core, EM Design, Layout, HSD Ckt Sim, Memory, SIPro, PIPro의 특징:
- Memory Designer(DDR 버스 시뮬레이터 포함)
- SIPro EM 분석
- PIPro EM 분석: DC IR 드롭, AC 임피던스, 전열 분석
- 채널 시뮬레이션
- 트랜션트 콘볼루션
- EM Design을 통해 파라미터화된 3D 콤포넌트를 생성하여 ADS로 가져올 수 있습니다
W3626B는 메모리 설계, 신호 및 전력 무결성 분석을 위한 종합적인 고속 디지털 번들입니다. 이 번들에는 레이아웃 전 SI EM 분석과 전력 무결성 EM 분석을 위한 PathWave ADS Memory Designer, SIPro 및 PIPro가 들어 있습니다. PIPro를 사용하면 DC IR 드롭 분석, AC 임피던스 분석, 전열 분석 등 배전망(PDN)에 대한 전력 무결성 EM 분석이 가능합니다. 이 번들에는 S-파라미터 sim, 채널 sim, 트랜션트 sim, CILD(Controlled Impedance Line Designer), Via Designer를 포함하는 HSD Circuit sim이 포함되어 있습니다.
역량확대
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