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HIGHLIGHTS
- 緊密模型產生的整合式 NVNA 主動負載拉移解決方案
- 是量測 2 埠無電晶體展現線性或非線性行為的理想選擇
- 輸入與輸出埠同步射頻和直流偏壓主動信號源控制
- 大信號波形通過 ICcap 以進行是德科技的 DynaFET 模型萃取
- 模型涵蓋射頻和直流特性,包括記憶體效應和負載靈敏度
- 或者,大信號資料能夠用來產生使用者自己的緊密模型
- 或者,使用大信號資料來適應任何現有緊密模型
S94522A 任意負載控制(ALC)裝置特性分析應用可以主動任意負載阻抗、輸入功率和直流偏壓,為擷取非線性裝置的行為表現提供強大但簡易的自動化程序。在使用是德科技的 DynaFET 緊密模型萃取時,量測裝置資料必須從晶圓上 III 到 V 半導體 FET 電晶體、GaN 或 GaAs。由於 CW 射頻激發,晶圓上功率應該限制為 5 瓦特或更低。對一般使用情形,任何 2 埠裝置都可以量測較大的信號波形。包含在運行 NVNA 的「A」機型 PNA-X。此應用軟體是無電晶體緊密建模的理想選擇。
ALC 應用軟體具備高度整合且可與 NVNA 軟體互動,提供設定、直流 I/V 選擇、量測及分析功能。應用軟體中的各個標籤可引導您完成整個流程。在儲存萃取至 DynaFET 模型最後的大信號波形資料前,可基於量測結果進行調整,DynaFET 模型可能是使用者定義的模型或做為最佳化任何緊密模型的目標。它具有出色的靈活性,因此可以整合到從非常簡單到非常複雜的各種使用者系統中。
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