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1GG7-8244-TR1 封裝可變衰減器,直流至 9 GHz

售貨廠商:

配置

價格: 台灣

* 價格如有變動,恕不另行通知。 此處所列價格為製造商建議零售價格(MSRP)

主要技術規格

  • 頻率範圍:直流至 9 GHz
  • P in(–1dB):27 dBm(500 MHz 時)
  • 回返損耗:10 dB
  • 最小衰減:2.0 dB
  • 最大衰減:30 dB
  • QFN SMT 封裝

敘述

1GG7-8244-TR1 是採用單片電路封裝的 GaAs 衰減器,提供可變電壓和直流至 9 GHz 的頻率範圍。積體電路的分散式拓撲結構可大幅減少串聯和並聯 FET 的寄生效應,讓封裝 IC 在整個頻寬範圍內具有寬廣的動態範圍。片裝直流參考電路可維持任意衰減設定下的最佳 VSWR,或是改進衰減器電路中,衰減隨電壓變化的線性度。

1GG7-8244-TR1 以 100 個或 100 的倍數個為一組的形式供貨。
註:如需一組 10 個和 10 的倍數個,請參考 1GG7-8244-BLK。