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配置

價格: 台灣

* 價格如有變動,恕不另行通知。 此處所列價格為製造商建議零售價格(MSRP)

主要技術規格

先進設計系統(ADS)2014 包含以下最新的產品和增強功能:

  • 自動電磁(EM)/電路模擬設定和劃分
  • 具有裝置識別能力的實體 LVS
  • 新的無線驗證測試台(LTE-A、LTE、802.11ac)
  • 改良的佈局互連設計和編輯功能
  • 可控阻抗線路設計軟體
  • 矽晶 RFIC 電路圖可與 Virtuoso 進行交互操作
  • ADS Board Link(ABL) – 新一代 PCB 整合式解決方案
  • 提供 DynaFET 模型模擬支援

敘述

ADS 2014 能夠為使用者提供新功能、新的技術和更多的改良,藉由改進與其它設計工具的設計流程整合,可實現提高設計工作效率的長期願景。

自動電磁(EM)/電路模擬設定和劃分

  • 當電路圖模型(例如 SMT 零件或主動 IC 元件)連接到“類似”的佈局時,ADS 提供常用的 Layout Lookalike 功能,可使設計人員建立電路/電磁場協同模擬
  • 當元件數量達到數十個或數百個時,ADS 2014 提供全新的自動EM/電路模擬設定功能,可節省大量時間並消除人為錯誤

ADS 2014 Automatic EM/Circuit Simulation Setup & Partitioning

W2320EP/ET 先進佈局(具有裝置識別能力的實體 LVS)

  • 用於 IC 驗證和晶圓代工廠簽核的產業標準方法
  • 包括基於 p-cell 的模式,無需使用規則檔
  • P-cell 模式結合了模組、多技術設計和 pin net,以建構穩定的模組級 LVS 解決方案

新的無線驗證測試台(VTB)

  • 無線驗證測試工作台功能為最新和最具挑戰性的多頻段、高頻寬標準(LTE、LTE-A和802.11ac),提供電路設計驗證解決方案和極其簡單的操作介面
  • 新的 VTB 和基本模擬技術是以 SystemVue 資料流程模擬技術為基礎,允許系統架構師開發客製的 VTB,以供電路設計人員在 ADS 軟體中使用
  • 經過簡化的 VTB 成本遠低於基於 Ptolemy 的無線庫

ADS 2014.01 Wireless Verification Test Benches

改良的佈局互連設計和編輯功能

  • 導孔可用作佈局互連物件,因而在軌跡寬度插入時,可以更有效地進行信號路由和自動調整大小
  • 新的平面允許設計人員建立銅層,以便在印刷電路板(PCB)上傳輸特定信號

ADS 2014 Improved Layout Interconnect Design & Editing

W2307EP/ET 可控阻抗線路設計軟體

  • 在端到端 ADS 通道模擬器電路圖中產生一個佈局前期通道
  • 將重要參數最佳化:
    • 眼圖參數(包括抑制)
    • 通道缺陷的波特圖(Bode plot)
  • 設計可控阻抗線路的堆疊和線路幾何圖形
  • 使用企業級 PCB 工具時,確定將要饋送到自動路由器 Constraint Manager 中的參數

W2307EP/ET Controlled Impedance Line Designer

藉由整合線路類型與統計眼圖通道模擬功能,您可以使用後平衡開眼的高度和寬度等重要參數,將可控阻抗線路最佳化。

W2319EP/ET 矽晶 RFIC 電路圖可與 Virtuoso 進行交互操作

  • 實現 ADS 與 Virtuoso 之間的雙向電路圖互通性
  • 把 Virtuoso 電路圖放入 ADS,並模擬射頻效能
  • ADS 前端設計與 Virtuoso 佈局部署

ADS 2014 W2319 Silicon RFIC Interoperability w/Virtuoso

ADS Board Link(ABL)——新一代 PCB 整合式解決方案

  • 可在 ADS 和企業級 PCB 工具之間雙向傳輸佈局、電路圖和程式庫,並將它們導入 ADS
  • 支援程式庫和技術資訊(單位、解析度、層、目標、基片等)以及設計資料的導入匯出
  • 將 ADS 的射頻電路圖和佈局設計輕鬆傳輸到企業級 PCB 環境中,可整合為一個更大的設計,以進行預佈局;修改並適應實體設計限制條件;返回到 ADS 中,以進行驗證
  • 使用 ABL 將企業級 PCB 佈局設計導入 ADS,並在 ADS 中執行佈局後期 EM 分析,在此之前無需進行佈局預處理
  • 在不同工具之間傳輸的 ABL 設計具有高傳真度,保存了全部資料和原始物件
  • 經過建構後,速度和能力得到大幅提高

提供 DynaFET 模型模擬支援

  • DynaFET 模型是一款 III-V FET(GaAs 和 GaN)的小型模型,包括電熱和陷阱效應
  • 建模工程師能夠自動萃取 IC-CAP 中的 DynaFET 模型

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