Highlights

  • 全新的使用者介面 (UI) 技術 — 可提昇工作效率、回應速度,並美化視覺設計;所有的整廠(turn-key)MOS 建模軟體套件均提供全新設計的萃取流程使用者介面。
  • 全新的邊緣模擬與程式庫驗證萃取軟體 — 可根據統計製程資訊來萃取並驗證 MOS 邊緣模型。
  • 支援 BSIMSOI4 MOS 模擬的全新萃取軟體 — 可針對絕緣層上覆矽(SOI)MOS 元件,萃取 BSIMSOI4 模型之 turn-key DC 和 RF 模型參數。
  • 經強化的 PSP MOS 模型參數萃取功能 — 全新的全域(Global)PSP 模型參數萃取功能,可在執行 PSP 萃取流程時,提供更多選擇與更高的彈性。
  • 可利用 Keysight B1500A DC/CV 分析儀進行 CV 量測。
  • 可程式化編輯環境(PEL)與圖形強化功能 — 可編排模型參數萃取流程,以提高建模效率並提供更多靈活設計。

Description

IC-CAP 2009

是德的積體電路特性化及分析程式(IC-CAP)是產業標準的軟體平台,可用來執行直流(DC)與高頻量測以及半導體建模程序。 Keysight IC-CAP 2009 不斷擴充其創新的整廠模擬解決方案,最新推出的二款套件,可有效萃取 MOS 元件之邊緣模型參數,以及 SOI MOS 元件之 BSIMSOI4 模型參數。 Keysight IC-CAP 2009 是業界第一套採用全新軟體平台架構與使用者介面(UI)技術的模型參數萃取解決方案,可大幅提高萃取效率、縮短建模時間,並提供更美觀的操作介面。 此外,最新版軟體增加了七項強化功能,包含 PEL、圖形處理引擎,以及儀器驅動程式等。

全新的邊緣模型參數萃取套裝軟體

過去,工程師只能運用量測資料來萃取模型參數,以便了解特定一組實體元件之行為。現在,他們可透過邊緣模型參數萃取軟體,來了解如果出現統計製程變數時,半導體元件模型可能出現的行為。 利用這套全新的模型參數萃取套裝軟體,半導體建模工程師可使用製程控制量測(PCM)功能來產生邊緣模型,並且自動建立內含邊緣模型資訊的程式庫,以支援模擬器運作。 此外,此軟體提供完整的模擬程式,讓工程師能夠根據各種不同的模擬狀況來模擬萃取程式庫,以便對程式庫進行最終驗證。 詳細資訊請瀏覽 邊緣模型參數萃取套裝軟體

全新的 BSIMSOI4 萃取套裝軟體

是德新推出的 BSIMSOI4 MOS 模型參數萃取套裝軟體,提供完整的 turn-key MOS 模型參數萃取套件,包含 BSIM3、BSIM4、PSP、HiSIM2.4 和HiSIM_HV。 BSIMSOI4 是美國 UC Berkeley 大學電機資訊系專為 SOI MOSFET 元件所發展的精密半導體模型。 精密模型委員會(CMC)已將此模型選定為 SOI MOSFET 模型產業標準。 Keysight IC-CAP BSIMSOI4 套裝軟體採用和其他 MOS 套裝軟體一樣的強大軟體平台,並同時支援 DC 和 RF 量測以及 SOI MOSFET 元件模型參數萃取等功能。 詳細資訊請瀏覽 BSIMSOI 模型參數萃取套裝軟體

軟體平台強化特性

Keysight IC-CAP 可大幅改善圖形介面之整體回應速度。 尤其是在執行圖形作業,其新式圖形處理引擎可大幅加快繪圖速度,最高可將速度提高10 倍。 工程師還可透過先進的 PEL 和 GUI Studio 編程環境來自訂萃取或量測工具套件,以便加速處理表格中大量的變數。

此外,Keysight IC-CAP 在 PEL 和圖形處理引擎中加入下列重要功能:

  • 在 PEL 中增加更有效率的 PEL 編程環境、迴路控制,以及條件敘述句。 舉例而言,現在您可輕鬆地用 ELSEIF 敘述句,在 PEL 中導入 switch/case 敘述句。
  • 並以強大的 LSYNC 特性來模擬各種元件並儲存元件清單。 IC-CAP 2009 特別強化了此一特性,以便納入文字清單及文字同步清單。
  • 除了提高繪圖速度外,圖形處理引擎還新增了多項重要的強化功能。 提供更多的線條類型,而且每一軌跡可指定使用特定的線條類型。 新增多項功能,無需顯示 plot 便可儲存 plot 圖像。

如欲查看更詳細的新功能說明與範例,請至 IC-CAP 2009 全新與強化功能簡介

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