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FET 建模

IC-CAP 支援以下場效電晶體(FET)模型。

產品型號 模型 產品簡介
W8530EP Keysight EEFET3、Keysight EEHEMT1、Curtice 立方式和二次式、 Raytheon 的 Statz 適用於前述支援模型的完整量測與萃取程序。
W8532EP Keysight Root FET、MOS 與二極體 在元件運作範圍內對 S 參數和直流資料陣列進行內插法樣條擬合,可自動完成直流與射頻 3 端應用的建模程序,此授權也包含對 Keysight Root 二極體與 MOS 模型的萃取。
W8533EP Angelov-GaN 適用於 Angelov-GaN 模型的統包式準確量測和萃取解決方案

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  • W8530EP IC-CAP 高頻 FET 模型 W8530EP IC-CAP 高頻 FET 模型 

    W8530EP IC-CAP 高頻 FET 模型

    包括適用於多種業界標準高頻 FET 精密模型進行的萃取:EEFET3、EEHEMT1、Curtice 及 Statz。

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    W8532EP IC-CAP Root 模型產生器

    在元件運作範圍內對 S 參數和直流資料陣列進行內插法樣條擬合,可自動完成直流與射頻 3 端應用的建模程序,另亦包括 Root 二極體和 MOS 模型的萃取。

  • W8533EP IC-CAP Angelov-Gan 萃取軟體套件 W8533EP IC-CAP Angelov-Gan 萃取軟體套件 

    W8533EP IC-CAP Angelov-Gan 萃取軟體套件

    統包式準確量測和萃取解決方案,適用於 Angelov-GaN 模型