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GoldenGate 2015.01新增和增强特性

  • GoldenGate-in-ADS
  • 仿真改进
  • 新增和更新模型支持
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Description

Keysight GoldenGate 2015.01 的新增和增强特性有助于提高硅芯片 RFIC 设计人员的工作效率。

GoldenGate-in-ADS 和全新 RFIC 座舱

  • RFIC 设计人员在他们喜好的平台上使用最受欢迎的仿真器
  • 通过 ADS 原理图访问 GoldenGate，并将 ADS 的“原理图控制模块”使用模型扩展为完整的 RFIC 座舱
  • 与 PDK 互操作时，可提供 ADS 本地 GoldenGate RFIC 仿真软件的功能和性能优势
  • 经验证的硅芯片 RFIC 仿真器适用于大型集成射频电路设计 
  • 访问 ADS 环境中的独特功能，比如快速的良率贡献器（FYC）分析
  • ADS RFIC 座舱：导入 ADE 仿真状态或直接在熟悉的环境中建立仿真
  • 在 Windows 和 Linux 平台上进行设计和仿真

图 1. 最新“GoldenGate-in-ADS”是 RFIC 设计人员在他们喜好的平台上最经常使用的仿真器

图 2. 借助 ADS RFIC 座舱导入 ADE 仿真状态，有助于您的系统升级

GoldenGate 仿真器增强特性

  • 新增对多个非和谐相关的分频器的仿真支持，能够精确地预测 LTE-A 载波聚合仿真中常见的接收机串扰
  • 三电平快速包络（Fast Envelope Level 3）支持包络跟踪调制应用
  • 晶体振荡器启动性能得到增强。即时可用的性能提高 5 倍。设定的解决方案小于 20 个周期，进行完整的瞬态分析需要 10,000 个以上的周期
  • 多线程稀疏矩阵求解器（瞬态仿真速度提高 10-50%）
  • X 参数仿真和数据文件改进
  • 提高瞬态包络（ET）噪声分析效率（ET 噪声分析速度可提高 1.5 倍）
  • 针对 HB 噪声提供改进的多线程与重构方法（速度提高 2.5 倍）
  • 振荡器分析性能增强：环形振荡器的速度提高 4 倍，可分为 32 个电路

图 3. 改善的三电平快速包络跟踪

图 4. 现在对具有多达 3 条振荡器-分频器链路的设计进行仿真

模型

  • NXP 半导体 SimKit 模型，版本 4.1/4.2/4.3
  • BSIM 4.7
  • HICUM 2.32
  • HICUM 2.33
  • HiSIM HV 2.0/2.01/2.1
  • MOSVAR 1.2

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