Highlights

  • 新型用户界面(UI)技术--提高生产效率、响应能力以及视感，完整的 MOS 建模套件可提供全新设计的提取流程用户界面
  • 新的 Corner 建模和程序库验证提取套件--可根据统计流程信息提取并验证 MOS Corner 模型
  • 新的 BSIMSOI4 MOS 模型提取套件--完整提取绝缘硅（SOI）MOS 元器件直流和射频 Berkeley BSIMSOI4 模型
  • 用于 PSP MOS 模型的更新版提取程序--用于 PSP 模型的全新通用提取程序，可为 PSP 提取流程提供更多的选择和灵活性
  • 支持使用 Keysight B1500A 直流/CV 分析仪进行 CV 测量
  • 编程提取语言(PEL)和图形增强--支持更高效的编程，提升灵活性
Request a Free Trial
Download Latest Version
View Brochure

Visit Technical Support

Description

IC-CAP 2009集成电路表征和分析程序(IC-CAP)是进行直流和高频测量以及半导体元器件建模的工业标准平台。IC-CAP 2009 继续提供创新的建模解决方案，并推出了两款完整的新型建模套件，用以提取 MOS 元器件的 Corner 模型以及绝缘硅（SOI）MOS 元器件的 BSIMSOI4 模型。IC-CAP 2009 首次采用了全新的平台和用户界面（UI）技术，可极大地提高性能、响应能力，并为用户提供更佳的产品视感。 此外，新版本在 PEL、图形和设备驱动程序方面对平台进行了改进。

新型 Corner 建模提取套件

从测量数据中提取的模型可用于描述特定物理元器件的特性，而 Corner 模型则能够描述统计流程变化时模型的特性。这一全新的提取套件可支持建模工程师使用过程控制测量（PCM），生成 Corner 模型并且使用 Corner 信息自动创建程序库，以用于支持的仿真器。此外，该套件提供完整的仿真器套件，通过仿真提取程序库与多种仿真条件的关系，对程序库进行最终验证。了解更多关于 Corner 建模提取套件的信息。

新型 BSIMSOI4 提取套件
 

用于 BSIMSOI4 新型 MOS 建模套件可用于构建完整的 MOS 建模套件，包含 BSIM3、BSIM4、PSP、HiSIM2.4 和 HiSIM_HV。BSIMSOI4 由加州大学伯克利分校的电气工程与计算机科学（EECS）系开发，是用于 SOI MOSFET 元器件的紧凑型模型。紧凑模型委员会（CMC）已将其选为标准的 SOI MOSFET 模型。IC-CAP BSIMSOI4 套件采用了与其他 MOS 套件相同的强大平台，可支持直流和射频测量，以及 SOI MOSFET 元器件的提取。了解更多关于 BSIMSOI 模型提取套件的信息。

平台增强性能

最新的平台技术极大地提高了用户界面（UI）的整体响应能力。特别是在显示图形时，全新的图形引擎可极大地提高绘图速度（高达 10X)。定制提取和测量工具套件采用先进的 PEL 和 GUI Studio 编程，可显著提高处理图表中大量变量的速度。

另外，PEL 和图形均已添加了下列关键的新特性：

  • PEL 添加了新的环路、环路控制和条件语句，可支持更高效的 PEL 编程。例如，使用 ELSEIF 语句轻松地在 PEL 中实现切换/模式语句。
  • 强大的 LSYNC 特性支持多种元器件仿真和数据存储。在 IC-CAP 2009 中，该特性更添加了文本列表和文本同步列表。
  • 除了绘制速度，图形功能还添加了几项增强特性。例如，增加了线条类型，每条迹线都可以选择不同的线条类型。新添加的功能可以在不显示绘图的情况下，保存绘制的图形。

请访问“IC-CAP 2009 的新特性”，了解更多关于新特性的信息和实例。

如果您已决定开始使用 IC-CAP，请填写并提交 Keysight EEsof EDA 软件演示申请表。

寻找其他版本？ 查看其他 IC-CAP 产品版本。