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描述

MESFET 模型套件提供以下大功率 FET 和 HEMT 器件 MESFET 模型:

Curtice、Statz MESFET
这些模型包括三个常用行业标准 MESFET 模型的提取例程: Curtice 平方、Curtice 立方和 Statz (Raytheon) 模型。 三类模型之间的差异在于描述器件直流和交流特性的实验性关系。 IC-CAP 通过直流和 S 参数测量提取模型参数。

Keysight EEsof EDA EEFET3 / EEHEMT1
这些是根据实验建立的通用 GaAs FET 应用非线性模型: 大信号、3 终端 IC 和封装器件。 这些模型可以精确建模直流和偏置 S 参数、时延、亚阈值电流和接收色散。

并且,W8530EP 还包括以 Keysight EEsof EDA 原始方程或先进 Cgs 和 Cgd 模型构建的漏极电流模型,包括跨电容效应。 模型同时增加了漏极电流静态自加热效应。 该模块具有高度自动的参数提取技术,可以自动提取封装寄生现象。 HEMT 与 MESFET 类似,但 gm 随 Vgs 变化的特性差异明显。

EEHEMT1 是 EEFET3 超集,提供用于 HEMT gm 压缩建模的分析功能。