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描述

不考虑工艺和技术、根据数据构建的模型,适用于大信号、3 终端应用。 这些模型包括 GaAs FET 和 HEMT 的非线性(包括频散), 可以缩放成为不同的尺寸,并且能够自动完成数据采集和高速模型生成。