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FET 建模

FET 建模
 

IC-CAP 支持以下场效晶体管(FET)模型。

产品数量 型号 产品说明
W8530EP Keysight EEFET3,Keysight EEHEMT1,Curtice 立方模型和平方模型,Raytheon Statz 模型 为支持的模型提供完整的测量和提取程序。
W8532EP Keysight Root FET、MOS 和二极管 在器件工作范围内,使用 S 参数和直流数据阵列的内插样条拟合,自动建模直流和射频 3 终端应用的流程。 许可证还包含用于是德根二极管(Root Diode)和 MOS 模型的提取程序。
  • W8530EP IC-CAP 高频 FET 模型 W8530EP IC-CAP 高频 FET 模型 

    W8530EP IC-CAP 高频 FET 模型

    为多个符合行业标准的高频 FET 紧凑模型提供提取程序: EEFET3、EEHEMT1、Curtice 和 Statz。

  • W8532EP IC-CAP 根模型发生器 W8532EP IC-CAP 根模型发生器 

    W8532EP IC-CAP 根模型发生器

    在器件工作范围内,使用 S 参数和直流数据阵列的内插样条拟合,自动建模直流和射频 3 终端应用的流程。 还包括用于根二极管和 MOS 模型的提取程序。

  • W8533EP IC-CAP Angelov-GaN Extraction Package W8533EP IC-CAP Angelov-GaN Extraction Package 

    W8533EP IC-CAP Angelov-GaN Extraction Package

    Accurate turn-key measurement and extraction solution for the Angelov-GaN model