-
Продукты и услуги
-
Осциллографы и анализаторы
- Осциллографы
- Spectrum Analyzers (Signal Analyzers)
- Анализаторы цепей
- Логические анализаторы
- Protocol Analyzers and Exercisers
- Тестеры коэффициента битовых ошибок
- Анализаторы коэффициента шума и источники шума
- High-Speed Digitizers and Multichannel Data Acquisition Solutions
- Анализаторы мощности переменного тока
- Анализаторы питания постоянного тока
- Materials Test Equipment
- Анализаторы формы сигнала тока
- Параметрические анализаторы полупроводниковых приборов
-
Измерители
-
Генераторы, источники питания
- Signal Generators (Signal Sources)
- Waveform and Function Generators
- Генераторы сигналов произвольной формы
- Pulse Generator Products
- Эмуляторы и системы тестирования электромобилей, гибридных электромобилей и энергосистем
- Источники питания постоянного тока
- Source Measure Units
- DC Electronic Loads
- AC Power Sources
-
ПО и САПР
-
Беспроводная связь
-
Модульные приборы
-
Тестирование сетей
-
Сетевая безопасность и видимость сетей
-
Другое измерительное оборудование
-
Услуги
- Все продукты, ПО и услуги
-
-
Решения
- Отрасли
- Понимание
- Ресурсы
- Поддержка
- Home
- Продукты и услуги
- 85194J Philips MOS Model 9 Extraction Module [Устарело]
85194J Philips MOS Model 9 Extraction Module
- Обзор и характеристики
- Модернизация после приобретения
- Ресурсы
HIGHLIGHTS
Note: Model number 85194J has been obsoleted.
The information below is provided for reference only.
Philips MOS Model 9 is a compact MOSFET model suitable for both digital and analog circuit applications. It has single equations covering the variations of current and charge in all device operating regions.
All important physical effects are modeled such as substrate body effect, drain induced barrier lowering, channel-length modulation, and avalanche multiplication.
MOS Model 9 is in the public domain and has been implemented within IC-CAP through work jointly carried out by Philips Research Labs, the National Microelectronics Research Center (NMRC) at the University of Cork in Ireland, and Keysight EEsof EDA.
The quick extraction method has been implemented in IC-CAP. With this method, minimal optimization is needed for parameter extractions.
For example, with the quick extraction method only 40 I-V data points are needed to extract a parameter set. This is in contrast to conventional procedures which typically require 500 to 600 I-V data points for each transistor.
This allows you to build up a database for statistical modeling quickly. A junction capacitance model with extraction methodology has also been implemented with this update.
For more information on the Philips MOS Model 9, including model features, parameter descriptions, model equations, and source code, click on the following link:
- © Keysight Technologies 2000–2022
- Заявление о конфиденциальности
- Правила использования сайта
- Обратная связь