Вы искали эту информацию? Посмотреть другие результаты поиска:

 

Связаться с экспертом

Конфигурировать

Prices for: Россия

* Цены могут быть изменены без уведомления. Указанные цены являются рекомендованными ценами производителя на условиях CIP, не включают налоговых и таможенных сборов.

Описание

Пакет W8530EP IC-CAP Field-Effect Transistor (FET) Models включает следующие модели мощных FET и HEMT транзисторов – Curtice, Statz MESFET

Этот пакет включает в себя процедуры экстракции трех популярных в индустрии моделей MESFET:

  • Curtice quadratic
  • Curtice cubic
  • Statz (Raytheon)

Отличия между тремя моделями заключаются в эмпирических соотношениях, описывающих DC- и AC-характеристики устройств. САПР IC-CAP осуществляет экстракцию параметров модели на основе комбинации данных измерений DC и S-параметров.

Также пакет включает модели Keysight EEsof EDA EEFET3 / EEHEMT1 – эмпирические нелинейные модели GaAs FET транзисторов.

Особенности Keysight EEsof EDA EEFET3 / EEHEMT1:

  • большой сигнал
  • 3-выводные устройства
  • корпусированные устройства

EEFET3 / EEHEMT1 – точные модели, описывающие DC-характеристики, S-параметры в зависимости от смещения, временную задержку, субпороговый ток и дисперсию Rds.

EEFET3 / EEHEMT1 включают точные модели тока стока, емкостей Cgs и Cgd, а также эффекты самонагрева. Модуль включает в себя процедуры экстракции паразитных параметров корпуса. Основное отличие HEMT транзисторов от MESFET – поведение характеристики gm vs. Vgs. EEHEMT1 – это адаптация модели EEFET3 с учётом компрессии gm характеристики HEMT транзисторов.