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旧Agilent 4155C/4156CからKeysight B1500Aへの移行
このアプリケーション・ノートでは、B1500Aの主要機能と、4155/4156Cとの相違点および類似点について説明します。

アプリケーション・ノート 2014-12-08

Accurate Capacitance Characterization at the Wafer Level
This application note describes the procedures required to precisely evaluate the capacitance of a Device Under Test (DUT) when using a 4080 series tester with an automatic wafer prober.

アプリケーション・ノート 2011-02-08

PDF PDF 1.61 MB
Low Current Measurement Technologies in Keysight 4080 Parametric Test System
This technical overview describes how the 4080 series parametric test systems attain such ultra-low current measurement performance and high throughput by focusing on the several key items.

アプリケーション・ノート 2011-02-08

PDF PDF 1.47 MB
Making Matching Measurements for Use in IC Design
This application note addresses the issue of component matching from a measurement perspective, and it explains how to utilize Keysight 4080 series parametric test systems to make these measurements.

アプリケーション・ノート 2011-02-08

PDF PDF 3.57 MB
High Speed Parametric Test using Keysight 4080 Series Tester
This application note describes know-how and techniques to make high speed parametric testing for semiconductor device characterizations by using the Keysight 4080 series parametric test systems.

アプリケーション・ノート 2011-02-06

PDF PDF 913 KB
Accurate and Efficient Frequency Evaluation of a Ring Oscillator
This application note introduces a precise and fast measurement method to measure the oscillation frequency of a ring oscillator structure using a spectrum analyzer in the 4080 series tester.

アプリケーション・ノート 2011-02-06

PDF PDF 331 KB
ネットワーク・アナライザによるバイポーラ・トランジスタの高速なfT対Ic 特性の評価
このアプリケーション・ノートでは、E5270 シリーズ・パラメトリック測定ソリューションを使用して、バイポーラ・トランジスタのfT 対Ic 特性を高速に評価する方法を紹介しています。

アプリケーション・ノート 2006-12-11

インピーダンス測定ハンドブック 2003年11月版
本ハンドブックでは、インピーダンス測定の基本原理から応用例までを詳細に解説し、インピーダンス測定に必要な技術情報を全て網羅しています。

アプリケーション・ノート 2003-10-31

イールド・テストチップを用いた早期歩留まり改善のための高速Open/Short測定の実現 AN4070-5
このアプリケーション・ノートは、Keysight 4070シリーズをイールド・テストチップを用いた早期歩留まり改善に適応するためのテクニックを紹介します。

アプリケーション・ノート 2003-09-08

MOSキャパシターのゲート酸化膜のC-V特性評価(PN4294-3)
As a result of extremely high integration of logic LSIs, MOS FETs with gate lengths of 0.1 ?m or less have been produced recently. A consequence of this miniaturization has been the need for very thin gate oxide layers.

アプリケーション・ノート 2003-06-25

Tips for Reusing Existing 4142B Program for Keysight E5270A Parametric Measurement Mainframe
The purpose of this technical overview is to provide an example of a systematic approach for finding non-operative 4142B program modules or lines in the E5270A instrument,,,

アプリケーション・ノート 2003-05-10

PDF PDF 310 KB
4073A and Ultra Low Current Measurement Technologies (Product Note)
Ultra Low Current Measurement Technologies Employed in the 4073A Ultra Advanced Parametric Test System

アプリケーション・ノート 2000-12-01

PDF PDF 175 KB
正確かつ高速なリングオシレータ周波数評価法 AN4070-3
半導体デバイスの高速化への要求が高まるにつれ、ゲート遅延およびインターコネクト遅延の評価は、これまでにないほど重要になってきています。...

アプリケーション・ノート 2000-11-05

半導体のマルチ周波数C - V 測定AN 369-5
一般的にMOS 等の半導体デバイスの製造プロセス評価に必要とされる各種パラメータ酸化膜容量Cox 基板不純物濃度Nsub 等は、C-V 特性をもとに算出されます。このため正確なプロセス評価をするためには、精密なC-V 測定が必...

アプリケーション・ノート 2000-08-30

Ultra Advanced Parametric Test Solution Accelerates Ramp and Improves Process Yield
Keysight 4073A and 4073B Ultra Advanced Parametric Tester accelerate the rampup of new processes and improve the yield on existing processes.

アプリケーション・ノート 2000-08-01

PDF PDF 74 KB
DC Characterization of Semiconductor Power Devices
Shows practical measurement examples of how to characterize semiconductor power devices. [Product Note 4142B-1]

アプリケーション・ノート 1991-09-01

PDF PDF 1.33 MB