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Les mesures de matériaux et de composants

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KEYSIGHT HOTSPOTS : Les mesures de matériaux et de composants
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Accueil & Présentation générale – Keysight
Les défis et solutions relatifs aux applications de test de matériaux
Pause & « Networking »
Solutions de test avancées pour les mesures d’impédance
Pause Déjeuner & « Networking »
Caractérisation de dispositifs et de matériaux du continu jusqu’aux fréquences supérieures à 1 THz
Pause & « Networking »
Caractérisation électrique des dispositifs GaN & SiC
Conclusion

 

KEYSIGHT HOTSPOTS : Les mesures de matériaux et de composants
 

Présentation générale

Les matériaux ferreux, les semi-conducteurs, les matériaux organiques (tels les polymères) et les semi-conducteurs composites ont procuré des avantages considérables au cours du siècle dernier. De nouveaux matériaux émergents, tels les semi-conducteurs à base d’oxydes, les nanotubes de carbone (CNT) et le Graphene sont très prometteurs concernant les bénéfices qu’ils pourront apporter au cours du siècle à venir. Keysight Technologies développe et commercialise des équipements de test et mesure afin de répondre aux exigences en constante évolution des chercheurs, ingénieurs et techniciens. Ce document offre une présentation générale des technologies en pleine émergence et indique ce que Keysight est en mesure de proposer pour permettre de relever les défis les plus ardus.

Les défis et solutions relatifs aux applications de test de matériaux

Le test de matériaux est délicat dans la mesure où chaque matériau est unique en termes de propriétés électriques, optiques et structurelles. Ce sont précisément ces propriétés matérielles uniques qui permettent à de tels dispositifs et composants (cellules solaires, sondes, dispositifs logiques, mémoires, inter-connecteurs, écrans, émetteurs, matériaux d’emballage…) de réaliser des tâches spécifiques. Dans cette présentation, nous aborderons les méthodes traditionnelles de mesure électrique pour différents matériaux et présenterons les instruments et solutions de test que Keysight propose.

Solutions de test avancées pour les mesures d’impédance

Cette présentation se concentre sur la mesure d’impédance et ses applications. Les techniques correctes permettant de réaliser des mesures d’impédances exactes sur des composants tels que les condensateurs, les inducteurs et les transformateurs seront abordées. Vous pourrez acquérir une bonne compréhension des raisons sous-jacentes aux divergences de mesures, des sources d’erreur dans les mesures et découvrir comment compenser ces erreurs. Les avantages et inconvénients des différentes techniques de mesure employées seront également abordés afin de vous aider à choisir l’instrument le plus adapté à vos propres besoins de mesure.

Caractérisation de dispositifs et de matériaux du continu jusqu’aux fréquences supérieures à 1 THz

Des matériaux furtifs aux substrats diélectriques, des produits alimentaires pour micro-ondes aux bio-carburants, la caractérisation précise des propriétés électromagnétiques fournit aux ingénieurs de précieuses informations nécessaires à la modélisation, conception et à la fabrication. Nous présenterons brièvement les catégories et méthodes utilisées pour mesurer les propriétés diélectriques des solides et liquides, puis nous parlerons des critères à prendre en compte au moment de choisir une technique de mesure. L’accent sera mis sur les techniques qui s’avèrent utiles pour mesurer la permittivité relative et le facteur de dissipation des matériaux diélectriques, qu’ils soient liquides ou solides, sur une gamme de fréquences comprise entre 100 MHz et 1,1 THz.

Caractérisation électrique des dispositifs GaN & SiC

Les progrès rapides de la technologie en matière de dispositifs de puissance rendent obsolètes les équipements de mesure traditionnels. Les tests de conduction de courants élevés, à savoir supérieurs à 1000A, les mesures de courants de fuite en pico-ampères et l’évaluation de tensions de claquage atteignant jusqu’à10+kV deviennent donc d’autant plus importants. Dans cette présentation, nous aborderons les mesures IV et CV typiques réalisées sur les dispositifs de puissance GaN et SiC avec l’analyseur de dispositif de puissance Keysight B1505A.


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Où et Quand
 

Date Lieu Langue de présentation Pour plus d'informatio 
2018-06-28 Dresden, Germany Allemand Inscrivez-vous ici
2018-09-05 Manchester, UK Anglais Inscrivez-vous ici
2018-10-09 Karlsruhe, Germany Allemand Inscrivez-vous ici
2018-10-11 Ulm, Germany Allemand Inscrivez-vous ici