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録画:パワーデバイスの落とし穴

セミナー概要

ハイブリッドカー、電気自動車、鉄道、パワーコンディショナー、産業機械など、多くのパワーエレクトロニクス用途で、IGBT/Si-SJ/SiC/GaN/Power MOSなどのパワーデバイスが使用されています。それらデバイスのデータシートに記載される特性は、機器の設計で非常に重要な設計根拠になりますが、読み方を間違えると思わぬ事故につながる恐れがあります。本セミナでは、パワーデバイスのデータシートから得られる情報の注意点や考え方を、電気特性、モデル、解析、測定に関して、現場目線で総合的に解説いたします。

登録/視聴

パワーデバイスの落とし穴 (WebExのページが開きます。)

対象者

パワエレデバイスおよび搭載機器の開発・評価をされるエンジニアのお客様

講師

株式会社モーデック
代表取締役  嶌末 政憲 様

熊本大学情報工学科卒後、富士通へ入社し、光中継器の設計開発から検査、工場対応に従事。富士通研究所とともに次世代NTT向け1.6GHz光中継器用LSIの開発に携わる。その後、横河ヒューレットパッカード、日本ヒューレット・パッカード、アジレント・テクノロジーを通じて、測定、モデリング、EDA、電磁界シミュレーションに関する技術業務に従事。各種システムの開発と回路シミュレーション技術の研究、国際学会IEEEにて技術論文発表と論文誌執筆。シニアコンサルタントとしてセールスからコンサルティング、プロジェクト管理まで一連の業務に従事。その後、モーデックを共同設立し、2009年より同社代表取締役を務める。

時間

60分

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