저주파 노이즈 정확하게 측정하는 방법

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웨이퍼 레벨에서 저주파 노이즈 측정

금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 디바이스의 정확한 저주파 노이즈 (LFN) 모델을 생성하려면 패키지 및 웨이퍼 레벨에서 DC 특성, 플리커(1/f) 노이즈, 랜덤 텔레그래프 노이즈 (RTN)를 모두 측정해야 합니다. 초저주파, 고전류(최대 1A) 또는 고전압 조건에서 미세 피치 MOSFET을 특성화하려면 노이즈 감도가 향상되고 노이즈 분석 주파수 범위가 넓은 측정 장비가 필요합니다.

노이즈 전력 스펙트럼 밀도(1/f 노이즈)와 시간 영역의 노이즈 측정하여 MOSFET LFN을 완벽하게 특성화합니다. 웨이퍼 프로브와 신호 컨디셔닝 회로를 테스트 대상 디바이스에 가깝게 배치하여 스캔 중 외부 노이즈 영향을 최소화합니다. 프로버 제어와 웨이퍼 매핑을 자동화하여 외부 노이즈 소스를 제거하고 LFN 모델 정확도를 향상시킵니다. 측정된 데이터를 연결된 모델링 툴로 내보내 강력한 MOSFET LFN 모델을 개발할 수 있습니다.

통합 온-웨이퍼 노이즈 측정 솔루션

MOSFET 저주파 노이즈 (LFN)를 정확하게 측정하려면 웨이퍼 레벨에서 통합 솔루션이 필요합니다. 키사이트의 고급 저주파 노이즈 분석 솔루션은 신속한 온-웨이퍼 1/f 노이즈 및 RTN 측정을 가능하게 합니다. 노이즈 감도가 -185dBV2/Hz로 최대 200V의 고전압과 30MHz의 초저주파수에서 수많은 디바이스를 정확하게 특성화할 수 있습니다. 이 솔루션은 자동화된 웨이퍼 레벨 측정과 웨이퍼 매핑 소프트웨어를 통합합니다. 모델링 엔지니어는 대부분의 산업 표준 프로버를 포괄하는 50개의 턴키 측정 드라이버를 사용할 수 있습니다. 측정된 노이즈 데이터는 키사이트 디바이스 모델링 소프트웨어로 내보낼 수 있어 강력한 MOSFET LFN 모델을 개발할 수 있습니다.

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