B1505A 전력 디바이스 분석기/커브 트레이서는 pA 미만부터 10 kV & 1500 A까지 범위에서 전력 디바이스 평가가 가능한 싱글 박스 솔루션입니다. 10 µs 펄스와 µΩ 온저항 측정을 사용한 정밀 측정 기능.

주요 특징

다양한 작동 조건에서의 정밀 측정

  • 최대 1500 A & 10 kV의 전력 디바이스 특성화를 위한 올인원 솔루션
  • 고전압 바이어스 중전류 측정(예: 1200 V에서 500 mA)
  • μΩ 온저항 측정 기능
  • 고전압 바이어스에서 피코 암페어 미만 전류의 정확한 측정
  • -50 ℃ ∼ +250 ℃ 범위의 완전 자동 열 테스트

다양한 디바이스 평가 기능

  • 최대 3000 V DC 바이어스에서 완전 자동 커패시턴스(Ciss, Coss, Crss 등) 측정
  • 최저 10 μs의 고전력 펄스 측정
  • 패키지 디바이스 및 온웨이퍼 IGBT/FET 게이트 전하 측정 모두 지원
  • GaN 전류 축소 효과의 특성을 분석하기 위한 고전압/고전류 고속 스위치 옵션
  • 최대 5개 고전압(3 kV) 소스/측정 채널로 유연성 극대화
  • 인터로크 장착 테스트 픽스처를 통한 안전 온도 종속적 테스트

측정 효율성 향상

  • 케이블 수정 없이 고전압 측정과 고전류 측정 전환 가능
  • 패키지 디바이스 및 온웨이퍼 디바이스 모두 트랜지스터 접합 커패시턴스(Ciss, Coss, Crss, Cgs, Cgd, Cds 등)에 맞는 자동 테스트 회로 형성
  • 안전한 패키지 전력 디바이스 테스트를 위한 인터로크를 통한 표준 테스트 픽스처
  • 200 A 초과, 최대 10 kV에 대한 온웨이퍼 고전력 보안 테스트 지원
  • 오실로스코프 뷰를 통해 적용된 전압 및 전류 파형을 검증할 수 있습니다.
  • MS Windows 기반 EasyEXPERT 소프트웨어로 데이터를 쉽게 관리 및 분석할 수 있습니다.

업그레이드 및 확장 가능한 하드웨어 아키텍처

  • 다양한 측정 모듈 선택 가능
  • 최대 6개 핀의 고전력 디바이스 지원

키사이트 B1505A 전력 디바이스 분석기/커브 트레이서는 피코 암페어 미만 수준에서 10 kV 및 1500 A까지 고전력 디바이스의 특성을 분석할 수 있는 유일한 싱글 박스 솔루션입니다. 이러한 기능을 사용하면 IGBT와 같은 새로운 디바이스, GaN, SiC와 같은 재료를 평가할 수 있습니다. B1505A는 고전압 SMU(HVSMU), 고전류 SMU(HCSMU), 초고전류(UHC) 모듈, 초고전압(UHV) 모듈, 고전압 중전류(HVMC) 모듈 등 다양한 모듈을 지원합니다. B1505A는 또한 고전력 SMU(1 A/200 V), 중전력 SMU(100 mA/100 V), 중전류 SMU(1 A/30V 펄스, 100 mA/30V DC) 및 다중 주파수 커패시턴스 측정 단위(1 kHz – 5 MHz)를 지원합니다. 10슬롯 모듈러 메인프레임을 채택하여 측정 요구에 맞게 B1505A를 구성할 수 있습니다.

고전압 바이어스(최대 3000 V)의 Ciss, Coss, Crss와 같은 완전 자동 커패시턴스 측정도 수행할 수 있습니다. 고주파수 스위칭 변환기의 또 다른 중요 파라미터인 게이트 전하를 쉽게 평가할 수 있습니다. -50 ℃ ∼ +250 ℃ 범위의 자동 열 특성화 또한 지원됩니다.

B1505A 소프트웨어 환경은 Microsoft® Windows® 10 운영 체제를 기반으로 하며 편리한 커브 트레이서로 디바이스 특성을 확인하고 디바이스 결함을 감지할 수 있습니다. B1505A는 기존 커브 트레이서와 마찬가지로 회전식 노브 제어 가변 스위프 기능을 지원합니다. 따라서 항복 전압과 같은 파라미터를 실시간으로 평가할 수 있습니다. 작업자가 디바이스에 적용되는 전압과 전류를 최적화하는 데 시각적인 도움을 주는 "오실로스코프 뷰"도 지원됩니다. 측정 설정 정보와 데이터는 B1505A의 내장 하드 디스크 드라이브에 자동으로 저장됩니다. USB 메모리 스틱과 다른 휴대용 스토리지 디바이스에 복사할 수도 있습니다.  측정 데이터를 디바이스 측정 요약과 함께 엔지니어링 보고서에 쉽게 복사할수 있습니다.

생성된 고전압과 고전류로 인해 작업자 안전을 보장하고 다양한 전력 디바이스 패키지 유형을 지원하기 위해서는 강력한 테스트 픽스처 솔루션이 중요합니다. 기존 커브 트레이서는 크기로 인해 일부 전력 디바이스를 평가하지 못하고 경우에 따라 디바이스 테스트를 위해 임시로 어댑터를 사용해야 하는 제한이 있었습니다. 그러나 B1505A의 테스트 픽스처는 그 크기 또는 형태에 관계없이 전력 MOSFET, 다이오드, IGBT 등과 같은 다양한 디바이스를 수용할 수 있습니다. 이는 사용자 지정 가능한 테스트 픽스처 모듈을 지원하는 대형 테스트 픽스처 어댑터가 있기 때문입니다. 또한 테스트 픽스처의 내장형 인터로크 장치에 따라 고전압과 고전류를 테스트 디바이스에 안전하게 적용할 수 있습니다.

키사이트는 기존 B1500A 사용자가 B1500A 메인프레임을 B1505A 메인프레임으로 변환할 수 있는 변환 키트를 제공합니다. 현재 B1500A 사용자는 이 키트를 사용하여 기존 장비의 전압 및 전류 측정 기능을 적은 비용으로 확장할 수 있습니다.

모듈 선택 가이드

측정 자료 필수 모듈/확장기 필수 슬롯 최대 구성 주 사양
고전력 SMU(HPSMU) B1510A HPSMU 2 4 최대 200 V, 1 A 전력. 10 fA 전류 분해능
중전력 SMU(MPSMU) B1511B MPSMU 1 10 최대 100 V, 100 mA 전력, 10 fA 전류 분해능
고전류 SMU(HCSMU) B1512A HCSMU 2 2 20 A/20 V(펄스); 1 A/40 V(DC) *1
고전압 SMU(HVSMU) B1513C HVSMU 2 5 1500 V/8 mA; 3000 V/4 mA;(펄스 및 DC)
중전류 SMU(MCSMU) B1514A MCSMU 1 6 1 A/30 V(펄스); 100 mA/30 V(DC)
다중 주파수 커패시턴스 측정 단위(MFCMU) B1520A MFCMU 1 1 1 kHz ∼ 5 MHz. 0 ∼ ±25 V, MFCMU 내부 DC 바이어스 사용
0 ∼ ±3000 V , HVSMU 및 고전압 바이어스 티 사용
고전압 중전류 단위(HVMCU) N1266A HVSMU 전류 확장기,
B1513B HVSMU
및 B1514A MCSMU/B1512A HCSMU 2개
4 - 6 1 ±1500 V / 2.5 A(펄스), ±2200 V/ 1.1 A(펄스)
초고전류 단위(UHCU) N1265A 초고전류 확장기/픽스처
및 B1514A MCSMU/B1512A HCSMU 2개
2 - 4 1 1500 A/ 60 V(펄스), 22.5 kW 피크 전력,
±500 A / 60 V(펄스), 7.5 kW 피크 전력
초고전압 단위(UHVU) N1268A 초고전압 확장기
및 B1514A MCSMU 2개
또는 B1512A HCSMU와
B1514A MCSMU의 조합
2 - 3 1 10 kV/10 mA(DC), 10 kV/ 20 mA(펄스)

*1. 전류 범위는 듀얼 HCSMU 콤비네이션 어댑터와 HCSMU 2개를 사용하여 40 A/20 V(펄스) 및 2 A/40 V(DC)로 늘릴 수 있습니다.

Microsoft와 Windows는 Microsoft Corporation의 미국 등록 상표입니다.

전류-전압 분석기에 대한 자세한 정보는 정밀 전류-전압 분석기를 참조하십시오.

 

 

역량확대

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