主な特長

パワーデバイスの完全な特性評価により、回路の初回動作を保証

Keysight B1506A 回路デザイン用パワーデバイス・アナライザ/カーブトレーサーは、パワーエレクトロニクス回路設計者が用途に適したパワーデバイスを選択して、パワーエレクトロニクス製品の価値を最大限に高めることができる完全なソリューションです。 ブレークダウン電圧やオン抵抗などのIVパラメータだけでなく、3端子FETのキャパシタンス、ゲート電荷、パワー損失など、関連するすべてのデバイスパラメータをさまざまな動作条件で評価できます。 B1506A 回路デザイン用パワーデバイス・アナライザ/カーブトレーサーは、すべてのカーブトレーサー機能を満たし、それを上回る性能を発揮します。

B1506A共通の特長

  • 最大3 kV/1500 Aの広い動作範囲
  • 完全に自動化された高速温度テスト(-50 °C~+250 °C)
  • パワーデバイス(半導体およびコンポーネント)のデータシートの自動作成
  • 自動記録機能によるデータ損失の防止

B1506A IVパッケージの特長

  • パッケージデバイスとオンウエハーデバイスの完全に自動化された高速IV測定(Ron、BV、リーケージ、Vth、Vsatなど)
  • IVパルス幅が狭いので(最小10 μs)、デバイスの自己発熱を防いで、実際のデバイス性能を評価することが可能
  • オシロスコープ表示(タイムドメイン表示)では実際の電圧/電流のパルス波形をモニターできるので、確度の高い測定を実現可能
  • スケーラブルな構成で、CV/Qg測定機能を追加したり、電流範囲を20 Aから500 A、1500 Aに拡張可能

B1506Aフルパッケージの特長

  • IVパッケージのすべての機能
  • パッケージデバイスのトランジスタの入力/出力/逆伝達キャパシタンス(Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres)およびゲート抵抗(Rg)を測定可能(3 kV)
  • パッケージデバイスのゲート電荷(Qg)曲線測定
  • パワー損失(伝導/ドライブ/スイッチング損失)の計算

B1506Aは、広い電圧/電流範囲(3 kV/1500 A)、広い温度測定範囲(-50 °C~+250 °C)、高速パルス機能、サブnAレベルの電流測定分解能など、基準に満たないデバイスを実際の回路動作条件で特定するのに役立つ機能を備えています。 独自のソフトウェアインタフェースを採用しているため、正式なトレーニングを受けなくても、使い慣れたデータシートのフォーマットでデバイスの特性を簡単に評価できます。 テストフィクスチャ内に統合されたスイッチング回路は、テストの完全な自動化をサポートし、高電圧テストと大電流テストの自動切り替えや、IV測定とCV測定の自動切り替えを行うことができます。

さらに、独自のプラグイン・スタイルのデバイス・テスト・フィクスチャ・ソケット・アダプタにより、ケーブル接続の必要性をなくし、人為的なエラーを低減します。 B1506Aは、温度特性評価の完全な自動化もサポートしています。 これは、内蔵のサーモストリーム制御機能または温度プレートのいずれかを使用して行うことができます。 DUTがB1506Aの測定リソースに近接しているため、恒温槽までケーブルを延長した場合に発生する大きな寄生成分が存在しません。

このため、最大1500 Aの超大電流でも発振することなく、低温および高温の両方で正確に評価することができます。このようなB1506Aの機能は、最終製品の価値を最大限に高め、製品開発サイクルを加速し、パワーエレクトロニクス回路のデザインに大変革をもたらします。

IVパッケージ(H20、H50、H70)の価格は従来のカーブトレーサーの価格と同等ですが、B1506Aでは、高度な機能が追加されています。 また、B1506A IVパッケージ(H20、H50、H70)はアップグレード可能で、電流範囲を拡張したり、CV/Qg測定機能(オプションH21、H51、H71)を追加することもできます。

B1506A IVパッケージ

  • B1506A-H20 20 A/3 kV IV測定
  • B1506A-H50 500 A/3 kV IV測定
  • B1506A-H70 1500 A/3 kV IV測定

B1506Aフルパッケージ

  • B1506A-H21 20 A/3 kV IV/C-V/ゲート電荷測定
  • B1506A-H51 500 A/3 kV IV/C-V/ゲート電荷測定
  • B1506A-H71 1500 A/3 kV IV/C-V/ゲート電荷測定
サポートされる測定
DC I/V
Pulsed I/V
1 kHz to 5 MHz CV
3 kV High Voltage CV
Gate Charge (Qg)
On-Wafer I/V
Thermal Test
Power Loss Calculation
最大出力電流
1500 A
最大出力電圧
3 kV
Number of Channels
Up to 7 channels
最小電流測定分解能
10 fA
サポートされる測定
最大出力電流
最大出力電圧
Number of Channels
最小電流測定分解能
DC I/V
Pulsed I/V
1 kHz to 5 MHz CV
3 kV High Voltage CV
Gate Charge (Qg)
On-Wafer I/V
Thermal Test
Power Loss Calculation
1500 A
3 kV
Up to 7 channels
10 fA
さらに表示
最大出力電流:
1500 A
最大出力電圧:
3 kV
最小電流測定分解能:
10 fA
最小電流測定分解能:
200 nV
Number of Channels:
Up to 7 channels
サポートされる測定:
DC I/V
Pulsed I/V
1 kHz to 5 MHz CV
3 kV High Voltage CV
Gate Charge (Qg)
On-Wafer I/V
Thermal Test
Power Loss Calculation
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