ADS 2014は大きく前進し、新しい機能とテクノロジーが追加されただけでなく従来の機能も強化されています。デザイン・フローの統合によりデザインの生産性と効率が向上し、長期的なビジョンを現実化できます。

電磁界／回路シミュレーションのセットアップ／パーティショニングの自動化

• ADSのLayout Look-alike機能により、デザイナはスケマティック・モデル（SMTパーツ、アクティブICデバイス）をLayout Look-alike表示に接続して回路／電磁界コ・シミュレーションを実行できます。
• 数十から数百にも及ぶ多くのデバイスを扱う場合のために、ADS2014は電磁界／回路シミュレーション・セットアップを自動化できます。セットアップにかかる膨大な時間を節約でき、手動操作のミスがなくなります。

W2320EP/ET Advanced Layout（デバイス認識による物理検証LVS）

• IC検証およびファンドリ・サインオフ向けの業界標準手法です。
• ルール・ファイルを必要としないP-Cellベースのモードを使用できます。
• P-Cellモードはモジュール／マルチテクノロジー・デザイン／ピン・ネットを用いて、信頼性の高いモジュール・レベルのLVSソリューションとして動作します。

新しい無線検証テスト・ベンチ（VTB）

• 無線検証テスト・ベンチ（VTB）は、最新かつ難易度の高いマルチバンド／広帯域規格（LTE、LTE-A、802.11ac）向けの回路デザイン・ソリューションで、非常に簡単なユーザ・インタフェースで操作できます。
• 新しいVTBとそのシミュレーション・テクノロジーは、SystemVueのデータ・フローのシミュレーション・テクノロジーをベースにしています。これにより、システム・アーキテクトはADSの回路デザイナで使用するカスタムVTBも開発できます。
• 簡素化されたVTBは、Ptolemyベースの無線ライブラリと比較すると大変お手頃な価格で購入できます。

レイアウトのインターコネクト・デザイン／編集の機能強化

• ビアをレイアウトのインターコネクト・オブジェクトとして使用できるようになったため、より効率的に接続ができ、トレース幅の挿入中にビアのサイズが自動的に変更されます。 
• デザイナは新しいプレーンを使用して、プリント回路基板（PCB）上に特定の信号を伝送するメタル層を作成できます。

W2307EP/ET 制御インピーダンス・ライン・デザイナ

• ADSチャネル・シミュレータでスケマティックのエンドツーエンドにプリレイアウト・チャネルを作成できます。 
• 次の項目に関する指標を最適化できます： 
  
  ○アイ・ダイアグラムのパラメータ（符号間干渉の軽減を含む） 
  
  ○チャネル干渉のボード線図
• 積層および制御インピーダンス・ライン・ジオメトリをデザインできます。 
• エンタープライズPCBツールのオートルータの拘束条件マネージャに与えるパラメータを決定できます。

ライン・タイプを統計アイ・チャネル・シミュレーションで扱えば、ポスト・イコライゼーション、アイ開口部の高さ／幅などの指標を使用して、制御インピーダンス・ラインを最適化できます。

W2319EP/ET VirtuosoシリコンRFICスケマティックの相互接続

• Virtuosoと双方向のスケマティック相互接続が可能です。 
• VirtuosoのスケマティックをADSに移動してRF性能をシミュレートできます。 
• ADSでフロント・エンドのデザインを行い、Virtuosoでレイアウトを実装できます。

ADSボード・リンク（ABL） – 次世代PCB統合ソリューション

• PCBエンタープライズ・ツールとADS間でのレイアウト、スケマティック、ライブラリの双方向インタフェースです。 
• ライブラリ、テクノロジー情報（単位、分解能、レイヤ、用途、サブストレート）、デザイン・データのインポート／エクスポートをサポートします。 
• ADSで作成したスケマティック／レイアウト・デザインをエンタープライズPCBツール環境に転送して、フロア・プラン向けの大規模なデザインへの統合、物理的なデザインの制約に対する調整を行った後、ADSにデザインを戻して検証できます。 
• エンタープライズPCBレイアウトのデザインをABL経由でADSにインポートすれば、電磁界シミュレーションの前のレイアウト・プリプロセッシングをほとんど行わずにADSでポストレイアウトの電磁界解析を実行できます。 
• ABLを用いたツール間のデザイン転送は忠実度が高く、すべてのデータと元のオブジェクトが維持されます。 
• 高速に大容量を扱えます。

シミュレーションによるDynaFETモデルのサポート

• KeysightのDynaFETモデルはIII-V FET（GaAs、GaN）の高度なコンパクト・モデルで、熱起電力や捕獲効果も考慮されています。
• モデリング・エンジニアはIC-CAPで自動的にDynaFETモデルを抽出できます。

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