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価格: 日本

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主な特長と仕様

  • MOS/CMOSの高周波効果モデリング手法による、HiSIM v2.5.1のDC、CV、RF抽出
  • 信頼性の高い直接抽出手順を用いてオプティマイザの最適な初期値を求めることにより、過剰な最適化/チューニング・ステップを防止
  • 柔軟性の高いカスタマイズ可能な抽出フロー
  • Windowsスタイルのデータ・ビジュアリゼーション、最適化、チューニング
  • BSIM3、BSIM4、BSIMSOI4、PSP、HiSIM_HVなどの他の業界標準モデル用の抽出パッケージ製品と共通のユーザ・インタフェース環境。共通測定モジュールにより、これらの内の任意のモデルの抽出に測定を使用可能

概要

IC-CAP HiSIM Model Extraction PackageW8551EP IC-CAP HiSIMモデル抽出パッケージは、DC/CV/RFモデル・パラメータ用の完全な測定/抽出手順を提供します。わかりやすいWindowsスタイルのユーザ・インタフェースにより、正確なモデルをすばやく作成できます。

WW8560EP IC-CAP Hisim2/HiSIM_HV抽出製品あり、HiSIM2.4とHiSIM_HVの両方のモデル抽出パッケージが含まれています。

HiSIM2は、日本の広島大学が開発した業界標準モデルの高度な表面ポテンシャル・モデルです。BSIM4などの従来のコンパクト・モデルは、主としてデジタル回路用に開発されているため、アナログ/RFアプリケーションのより小さいノードで使用する場合は制限があります。HiSIM2モデルではデバイスの表面ポテンシャルの計算により、ディープ・サブミクロン物理現象をより正確に記述でき、この結果、内部電流や電荷をより正確に記述できます。

CMOS Extraction Packages