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価格: 日本

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概要

W8532EP IC-CAP Rootモデル・ジェネレータ ソフトウェア・ライセンスには、Keysight Root MOS、FET、ダイオード・モデル用の測定および抽出手順が含まれています。

Keysight Rootモデルは、物理的/経験的モデルではなく、データ・ベースのモデルです。このモデルは、デバイス固有の大信号モデルを、デバイスのターミナル特性を正確に表した測定済みのDCおよび小信号Sパラメータ・データから直接作成します。モデルは、回路シミュレーションや最適化を行わずに、作成されます。SパラメータとDCデータの使用により、周波数分散のある非線形デバイス性能を正確に予測できるモデルになります。1セットの非線形電流関数でシミュレートされるモデルでは予測できません。Keysight Rootモデルは、バイアス/パワー・レベル/周波数の関数としてデバイス性能を予測します。測定済みデータは存在するが良好な物理的/経験的モデルを持たないデバイスを含む回路をシミュレートすることができます。

各モデル・ジェネレータ・ツールキットはデータ収集を管理します。DCバイアス・レベルおよびAC周波数レンジを最初にユーザが設定した後、ツールキットがシステム・ハードウェアを制御してDC測定とSパラメータ測定を実行します。このように、モデルは、他の経験的モデルでは通常必要とされていたシミュレーションや最適化がなくても、作成できます。出力データ・ファイルは、Keysight Advanced Design System(ADS)で直接読み込むことができます。シミュレーション中、作成されたKeysight Rootモデルからの表形式のステート・ファンクション・データは、多次元スプライン関数を使用して補間され、デバイスのターミナル特性をエミュレートします。

このライセンスには、以下の3種類の抽出用ツールキットが含まれます。

  • Keysight Root FETモデル: MESFETおよびHEMT(MODFET)用の拡張可能なモデルで、単一デバイスの特性評価に基づいて、さまざまな形状のデバイスをシミュレートすることができます。現在の実装は、代表的な動作領域に対応して、正のドレイン-ソース・バイアス(Vds≧0)用に使用されます。
  • Keysight Root MOSFETモデル: サブストレートの影響がモデルの一部とならない、縦型、LD、パワーMOSデバイスに適用できます。NMOSおよびPMOSの両方のデバイス用に使用できます。
  • Keysight Rootダイオード・モデル: 2ポートまたは1ポート構成のバラクタおよびショットキー・ダイオード用に使用されます。