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価格: 日本

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概要

W8530EP IC-CAP電界効果トランジスタ(FET)モデルは、ハイパワーFET/HEMTデバイス用の以下のMESFETモデルを提供します。

Curtice、Statz MESFET

これらのモデルには、以下の3種類の一般的なMESFETモデル用の抽出ルーチンが含まれています。

  • Curtice quadratic
  • Curtice cubic
  • Statz (Raytheon)

この3種類のモデルは、デバイスのDCおよびAC特性を記述する実験に基づく関係が異なります。IC-CAPは、DCおよびSパラメータ測定の組み合わせからモデル・パラメータを抽出します。

Keysight EEsof EDA EEFET3 / EEHEMT1

これらは、以下の汎用GaAs FETアプリケーションの経験的な非線形モデルです。

  • 大信号
  • 3端子IC
  • パッケージ化されたデバイス

上記のモデルはDCおよびバイアスに依存したSパラメータ、時間遅延、準しきい値電流、Rdsの分散を正確にモデル化します。

オリジナルの式のKeysight EEsof EDAモデルをベースにしたドレイン電流モデルやトランスキャパシタンスの影響などのCgsやCgd用の高度なモデルも含まれています。ドレイン電流の静的自己発熱の影響も考慮されています。モジュールは、高度に自動化されたパラメータ抽出手法と自動抽出されたパッケージの寄生成分を提供します。HEMTはMESFETと似ていますが、1つ大きく異なる点はgm対Vgsの動作です。EEHEMT1は、EEFET3のスーパーセットで、HEMTのgm圧縮モデリング用の解析機能セットを持っています。