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価格: 日本

* 参考価格、標準納期は予告無く変更されることがあります。詳しくはお問い合わせ下さい。 価格は希望小売価格です

主な特長と仕様

広い動作条件にわたって正確な測定

  • 最大1,500 Aおよび10 kVでのパワーデバイス特性評価用オールインワンソリューション
  • 高電圧バイアスによる中電流測定(例:500 mA/1200 V)
  • μΩオン抵抗測定機能
  • 高電圧バイアスでの正確なサブpAレベルの電流測定
  • 完全自動温度測定(-50 ℃~+250 ℃)

強力なデバイス評価機能

  • 完全自動キャパシタンス(Ciss、Coss、Crssなど)測定(最大3000 VのDCバイアス)
  • ハイパワー・パルスド測定(最小10 μs)
  • パッケージデバイスとオンウエハーの両方のIGBT/FETゲート電荷測定に対応
  • GaN電流コラプスの影響を特性評価するための高電圧/大電流高速スイッチオプション
  • 最大5個の高電圧(3 kV)電源/測定チャネルによる優れた柔軟性
  • インターロック機構搭載テストフィクスチャによる安全な温度依存テスト

測定効率の向上

  • ケーブルのつなぎ替えが不要な高電圧測定と大電流測定の切り替え
  • パッケージデバイスとオンウエハーデバイスの両方のトランジスタ接合容量(Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cdsなど)測定のための自動テスト回路形成
  • パッケージ・パワー・デバイス用のセーフティインターロック付き標準テストフィクスチャ
  • 200 A超、最大10 kVの安全なオンウエハー・ハイパワー・テストのサポート
  • オシロスコープビューによる印加電圧/電流波形の検証が可能
  • MS WindowsベースのEasyEXPERTソフトウェアによるデータ管理とデータ解析の簡素化

アップグレード可能でスケーラブルなハードウェアアーキテクチャー

  • さまざまな測定モジュールを選択可能
  • 最大6個のピンによるハイパワー・デバイスのサポート
     

概要

Keysight B1505A パワー・デバイス・アナライザ/カーブトレーサは、サブpA~10 kVおよび1500 Aでハイパワー・デバイスを評価できるワンボックスソリューションです。これらの機能により、IGBTなどの新材料やGaNやSiCなどの材料を特性評価することができます。B1505Aは、高電圧SMU(HVSMU)、大電流SMU(HCSMU)、超大電流(UHC)モジュール、超高電圧(UHV)モジュール、高電圧中電流(HVMC)モジュールなどさまざまなモジュールをサポートしています。B1505Aは、ハイパワーSMU(1 A/200 V)、ミディアムパワーSMU(100 mA/100 V)、中電流SMU(1 A/30 Vパルスド、100 mA/30 V DC)、マルチ周波数容量測定ユニット(1 kHz~5 MHz)もサポートしています。B1505Aは、10スロット・モジュラー・メインフレームで、測定ニーズに合わせて最適化することができます。


また、高電圧バイアス(最大3000 V)でのCiss、Coss、Crssやゲート電荷の完全自動キャパシタンス測定が可能で、高周波スイッチングコンバータ分野の重要なパラメータも簡単に評価できます。-50 ℃~+250 ℃の自動温度評価もサポートしています。


B1505Aソフトウェア環境は、Microsoft® Windows® 7オペレーティングシステムをベースにしたもので、便利なカーブトレーサ機能を使ってデバイス特性をチェックしたり、デバイスの不具合を検出することができます。B1505Aでは、従来のカーブトレーサと同様に、ロータリーノブを使用してさまざまな掃引機能を制御することができます。ブレークダウン電圧のようなパラメータをリアルタイムで評価することもできます。また、「オシロスコープビュー」機能を使用すれば、オペレーターはデバイスに印加されている電圧や電流を最適化することができます。測定セットアップ情報および測定データは、B1505Aの内蔵ハードディスクドライブに自動的に記録されます。この情報やデータはUSBメモリデバイスなどのポータブル記憶デバイスにコピーすることができます。測定データもデバイス測定サマリーとともに、技術報告書に容易にコピーできます。

堅牢なテスト・フィクスチャ・ソリューションは、さまざまなタイプのパワー・デバイス・パッケージをサポートするためだけでなく、オペレーターの安全を確保(高電圧/大電流が発生するので)するためにも重要です。従来のカーブトレーサには、その大きさが原因で一部のパワーデバイスを評価できないという制限があり、デバイスをテストするためにアダプタを応急的に取り付けることが必要な場合もありました。しかし、B1505Aのテストフィクスチャは、サイズや形状に関係なく、MOSFET、ダイオード、IGBTなどのさまざまなデバイスをサポートしています。これは、大型のテスト・フィクスチャ・アダプタとカスタム・テスト・フィクスチャ・モジュールによって実現しました。さらに、テストフィクスチャに内蔵されているインターロック機構によって、テストデバイスに高電圧/大電流を安全に印加することができます。

キーサイトでは、既存のB1500AメインフレームからB1505Aメインフレームへの移行用キットも提供しています。これにより、現在B1500Aをお使いの方も、電圧/電流測定機能をより安価に拡張することができます。

モジュール・セレクション・ガイド

測定リソース 必要なモジュール/エキスパンダー 必要なスロット 最大構成 主な仕様
ハイパワーSMU(HPSMU) B1510A HPSMU 2 4 最大200 V、1 Aフォース。10 fAの電流分解能
ミディアムパワーSMU(MPSMU) B1511B MPSMU 1 10 最大100 V、100 mAの印加、10 fAの電流分解能
大電流SMU(HCSMU) B1512A HCSMU 2 2 20 A/20 V(パルスド)、1 A/40 V(DC) *1
高電圧SMU(HVSMU) B1513C HVSMU 2 5 1500 V/8 mA、3000 V/4 mA、(パルスドおよびDC)
中電流SMU(MCSMU) B1514A MCSMU 1 6 1 A/30 V(パルスド)、100 mA/30 V(DC)
マルチ周波数キャパシタンス測定ユニット(MFCMU) B1520A MFCMU 1 1 1 kHz~5 MHz、0~±25 V、MFCMU内部DCバイアス使用
0~±3000 V、HVSMUと高電圧バイアスティー使用
 
高電圧中電流ユニット(HVMCU) M1266A HVSMU電流エキスパンダー、
B1513B HVSMU
および2個のB1514A MCSMU/B1512A HCSMU
 
4 - 6 1 ±1500 V/2.5 A(パルスド)、±2200 V/1.1 A(パルスド)
超大電流ユニット(UHCU) N1265A 超大電流エキスパンダー/フィクスチャ
および2個のB1514A MCSMU/B1512A HCSMU
 
2 - 4 1 1500 A/60 V(パルスド)、22.5 kWピークパワー、
±500 A/60 V(パルスド)、7.5 kWピークパワー
 
超高電圧ユニット(UHVU) N1268A 超高電圧エキスパンダー
と、2個のB1514A MCSMU
またはB1512A HCSMU
とB1514A MCSMUとの組み合わせ
 
2 - 3 1 10 kV/10 mA(DC)、10 kV/20 mA(パルスド)

 *1. 電流レンジは、2個のHCSMUとデュアルHCSMUコンビネーションアダプタを使って、40 A/20 V(パルスド)および2 A/40 V(DC)に拡張できます。
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