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主な特長と仕様

  • MOS/CMOSの高周波効果モデリング手法による、HiSIM_HVのDC、CV、RF抽出
  • 信頼性の高い直接抽出手順を用いてオプティマイザの最適な初期値を求めることにより、最適化およびチューニングのステップが過剰になることを防止
  • 柔軟性の高いカスタマイズ可能な抽出フロー
  • Windowsスタイルのデータ・ビジュアリゼーション、最適化、チューニング
  • BSIM3、BSIM4、BSIMSOI4、PSP、HiSIM2などの他の業界標準モデル用の抽出パッケージ製品と共通のユーザ・インタフェース環境。共通測定モジュールにより、これらの内の任意のモデルの抽出に測定を使用可能。
     

概要

HiSIM_HVモデル抽出パッケージ(85194QL)は、DCおよびCVモデル・パラメータの測定/抽出手順を提供します。わかりやすいWindowsスタイルのユーザ・インタフェースにより、正確なモデルをすばやく作成できます。このパッケージは、IC-CAPソフトウェア環境(85199A)の機能を利用して、AdMOSで開発されています。AdMOSの詳細については ここをクリックしてください。 

HiSIM_HVとHiSIM2.4の両方のモデル抽出パッケージを含む製品バンドル(85199RL)も用意されています。

HiSIM_HVは、日本の広島大学が開発した業界標準のHVMOSモデルです。これ以前のBSIM4などのコンパクト・モデルは、主に従来のデジタル・アプリケーション用の対称的な低電圧CMOSを対象として開発されたものでした。HiSIM_HVモデルは、対称的なHVMOSと非対称LDMOSの両方のデバイスを対象に設計されています。LDMOS(Laterally Diffused MOS)デバイスは、RFパワー・アプリケーションで使用されます。HiSIM_HVモデルは、その他の代表的な高電圧効果も考慮しています。例えば、ドリフト領域抵抗、準飽和効果、自己加熱などのモデリングです。

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