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主な特長と仕様

  • MOS/CMOSの高周波の影響をモデリングするための手法を使った、HiSIM v2.4.1のDC、CV、RF抽出
  • 過度の最適化/同調ステップをなくすために、オプティマイザ用の最適な初期値を見つけるために使用される、信頼性の高い直接抽出手順
  • 柔軟でカスタマイズ可能な抽出フロー
  • Windows形式でのデータの表示、最適化、同調
  • BSIM3、BSIM4、BSIMSOI4、PSP、HiSIM_HVなどの、他の業界標準モデル用に使用可能な、抽出パッケージ製品と共有ユーザ・インタフェース環境。共通の測定モジュールにより、測定値を使用してこれらのモデルを抽出できます。
     

概要

IC-CAP HiSIM2.4 Model Extraction Package

HiSIM2モデル抽出パッケージ(85194ML)は、DC、CV、RFモデル・パラメータの完全な測定/抽出手順を提供します。直感的なWindows形式のユーザ・インタフェースが備わっているため、正確なモデルをすばやく作成できます。パッケージは、IC-CAPソフトウェア環境(85199A)で利用可能な機能を使用して、AdMOS社によって開発されました。AdMOS社の詳細については、 こちらをクリックしてください。 

HiSIM2.4とHiSIM-HVの両方のモデル抽出パッケージを含む製品バンドル(85199RL)もあります。

HiSIM2(業界標準モデルの高度な表面電位モデル)は、広島大学で開発されました。従来のコンパクト・モデル(BSIM4など)は主としてデジタル回路用に開発されているため、アナログ/RFアプリケーションのより小さいノードで使用する場合は制限があります。HiSIM2モデルはデバイスの表面電位を計算します。これにより、難解な1ミクロン未満の物理現象のより正確な記述が可能になり、内部電流および電荷のより正確な記述が得られます。

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