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パワーモジュールの小型化、スイッチング周波数の上昇、新しいワイドバンドギャップ(WBG)技術によるエッジスイッチ速度の高速化に伴い、パワーエレクトロニクス設計コミュニティにおける正確なデバイスモデルの必要性が高まっています。 以下の3つの技術とデバイス構造について、高度なモデルを紹介します：
CMCで採用されたGaN ASM-HEMTモデル
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SiおよびSiCパワーMOSFETデバイス用のキーサイトモデル
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IGBTデバイス用キーサイトモデル
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これら3つのモデルはすべてVerilog-Aで実装されており、Advanced Design System (ADS) 2017でシミュレーションを行うことができます。 Si/SiCおよびIGBTモデルは、デバイス・プロセス・パラメータが利用できない場合のために作成されています。これは、パワーエレクトロニクスのデザインラボでは一般的な要求です。
ユーザーインタフェースは、モデリングエンジニアが必ず通る主要なステップを反映しています。
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プロジェクトのパラメータ、モデルフラグ、デバイス定数を設定します。 |
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高度に構造化されたディレクトリからデータをロードします。 |
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モデルパラメータを抽出します。 |
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モデル確度を検証します。 |
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デバイスモデルのパラメータをエクスポートします。 |
最新かつ高確度なモデルで、デバイスの挙動を高い確度で捕捉しているため、ご安心いただけます。
図1. 四角いマーカーで示された測定データは、実線で示されたモデル化されたデータでよく捕捉されています。 さまざまなモデリングのステップが左側に示されています。 右側のスライダでパラメータを手動で調整することができます。
抽出を活用するお客様は2つのグループ、回路設計者とモデリングエンジニアです。 設計者向けには、 W8598BP/BT デバイスモデリング用パワー・エレクトロニクス・モデル・ジェネレーター(PEMG)ソフトウェアバンドルをご紹介しています。 設計者は、GaN HEMT、Si/SiC PowerMOS、およびIGBTなど、提供されるすべてのモデルタイプの抽出フローを活用できます。 フローのカスタマイズに最大限の柔軟性を求めるモデリングエンジニアのために、3種類のIC-CAPアドオンパッケージを提供します。 これらの製品は、下表のようにまとめられます。
| 製品モデル番号 | 概要 |
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| W8598BP/BT | W8598BP/BT デバイスモデリング用パワー・エレクトロニクス・モデル・ジェネレーター(PEMG)ソフトウェアバンドルは、個別の半導体パワー・エレクトロニクス・デバイスのモデル抽出要件に合わせて設計された高度なデバイス・モデリング・ソフトウェアです。 |
| W8536EP/ET | W8536EP/ET IC-CAP SiC PowerMOSパワー・エレクトロニクス・モデリング・アドオン・ソフトウェア・パッケージは、SiおよびSiC PowerMOSデバイスの回路コンパクトモデルのパラメータを抽出することができます。 |
| W8537EP/ET | W8537EP/ET IC-CAP IGBTパワー・エレクトロニクス・モデリング・アドオン・パッケージを使用すると、絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)デバイス用の回路コンパクトモデルのパラメータを抽出することができます。 |
| W8538EP/ET | W8538EP IC-CAP GaNパワー・エレクトロニクス・モデリング・アドオン・ソフトウェア・パッケージを使用すると、窒化ガリウム高電子モビリティトランジスタ(GaN HEMT)デバイス用の回路コンパクトモデルのパラメータを抽出することができます。 |
時代の先端を行き、設計をより早くより自信を持って生産に移行できます。 パワー・エレクトロニクス・モデル抽出スイートは、 使いやすいUIと最新かつ最も強力なモデルによって、個別のパワー・エレクトロニクス・デバイスの包括的なモデリングソリューションを提供します。
IC-CAPデバイス・モデリング・ソフトウェアの詳細については、以下をご参照ください。IC-CAPデバイス・モデリング・ソフトウェア
イノベーションへの投資を保護
IC-CAPパワー・エレクトロニクス・モデリングの注目のリソース
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